stm32boot有什么用？BOOT0和BOOT1用于設(shè)置STM32的啟動(dòng)模式:一般情況下，如果要通過串口下載代碼，必須將BOOT0配置為1，BOOT1配置為0。如果我們想讓STM32一鍵閃存是電可擦

stm32boot有什么用？

BOOT0和BOOT1用于設(shè)置STM32的啟動(dòng)模式:

一般情況下，如果要通過串口下載代碼，必須將BOOT0配置為1，BOOT1配置為0。如果我們想讓STM32一鍵閃存是電可擦閃存，也就是u盤，存儲(chǔ)卡系統(tǒng)內(nèi)存:指的是存儲(chǔ)系統(tǒng)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)區(qū)域，比如BIOS，嵌入式SRAM是一種靜態(tài)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的內(nèi)存技術(shù)。你不 不需要像DRAM那樣經(jīng)常用電刷新，可以長時(shí)間保存數(shù)據(jù)位密鑰，開始運(yùn)行代碼。需要將BOOT0配置為0，BOOT1可以隨意設(shè)置。

STM32中，寄存器可按字、半字、字節(jié)的方式訪問怎么理解？

這個(gè)問題有點(diǎn)混亂，因?yàn)锳RM是32位的，它的寄存器都是按照32位預(yù)定義的。所以就ARM寄存器而言，都是32位讀寫。而FLASH的其他部分，如ROM、RAM等，可以按字、半字、字節(jié)讀寫。但也要注意效率的問題。

在某些ARM系統(tǒng)中，一次讀寫16位或32位甚至64位的效率是一樣的，一次可以讀取，但是讀取8位數(shù)據(jù)可能會(huì)慢一些，占用更多的CPU時(shí)間。這就提醒我們，在使用ARM的時(shí)候，最好定義16位或者32位的變量，這些變量的特點(diǎn)是臨時(shí)變量，沒有必要定義8位的變量。

對(duì)于8位單片機(jī)來說，一次讀寫8位和16位的效率要比讀32位好，這也是寫程序時(shí)要注意的，雖然影響很小。

一個(gè)字是32位，一次處理4個(gè)字節(jié)長的數(shù)據(jù)。半字是16位，2個(gè)字節(jié)。字節(jié)是8位。與傳統(tǒng)的arm相比，stm32最大的優(yōu)勢是不需要使用，三類數(shù)據(jù)可以無縫存儲(chǔ)在內(nèi)存中。但是傳統(tǒng)的arm7或者arm9是按照地址對(duì)齊的，也就是說無論8bit還是16bit的數(shù)據(jù)，都要占用4個(gè)字節(jié)的空間，造成內(nèi)存的浪費(fèi)。

請教單片機(jī)掉電后，如何快速的保存數(shù)據(jù)問題？

針對(duì)題目的問題，我認(rèn)為應(yīng)該從以下幾個(gè)方面著手:

盡量使用內(nèi)部閃存存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。內(nèi)部flash讀寫速度快，可靠性高。

如果使用外部flash或eeprom進(jìn)行存儲(chǔ)，flash通常是一個(gè)spi接口?？紤]到電磁干擾和MCU的響應(yīng)速度，即使使用MCU的硬件SPI模塊進(jìn)行通信，SPI的最大時(shí)鐘也在1MHz左右，發(fā)送一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)大約需要10us。不考慮擦除閃存的時(shí)間，存儲(chǔ)100字節(jié)的數(shù)據(jù)大約需要5ms。如果考慮可靠性，需要閱讀和驗(yàn)證。

Eeprom一般采用IIC接口，類似于SPI接口。與高速IIC通信并存儲(chǔ)100字節(jié)的數(shù)據(jù)至少需要5毫秒。

FLASH的特點(diǎn)是寫數(shù)據(jù)只能從1重寫到0，從0重寫到1需要擦除整個(gè)頁面，或者整個(gè)扇區(qū)，或者整個(gè)塊。

以STM32F051為例。一個(gè)頁面是1kb，一個(gè)塊是64kByte。擦除一頁大約需要20毫秒。在整個(gè)擦除過程中，整個(gè)MCU被掛起，即不執(zhí)行任何操作。另一方面，閃存是一種快速寫入操作，一個(gè)字節(jié)大約需要1us。

需要掉電檢測電路，掉電檢測需要檢測給MCU供電的LDO或DC-DC的前級(jí)電壓。

比如MCU采用12V-3.3V LDO供電，需要檢測12V的電壓來決定是否斷電。

通過電阻分壓12V的電壓，然后連接到MCU的A/D檢測口，判斷是否斷電。

MCU供電的LDO或DC-DC的前級(jí)并聯(lián)足夠的電容，保證電容的供電能保證MCU能寫數(shù)據(jù)。

電容器的尺寸可通過以下步驟確定:

評(píng)估斷電時(shí)前一電壓提供的工作電流。一旦單片機(jī)檢測到掉電，就需要切斷耗電輸出，比如控制繼電器輸出的I/O口。比如20mA。

確認(rèn)LDO的最低輸入電壓，如5.3。

確認(rèn)判斷斷電的電壓，如10V，確認(rèn)斷電開始與LDO最低輸入電壓的電壓差，如4.7V

確認(rèn)寫入所有數(shù)據(jù)所需的時(shí)間，例如20 ms。

根據(jù)公式CI*T/U20mA*20mS/4.7V85uF計(jì)算所需電容，可選擇100uF的電容。

一旦MCU檢測到掉電，需要切斷耗電輸出，比如控制繼電器輸出的I/O口需要立即斷開。

在正常操作中，預(yù)先準(zhǔn)備一個(gè)存儲(chǔ)空間并將其擦除到0xFF中。

檢測到掉電后，可以直接寫入數(shù)據(jù)，無需擦除FLASH內(nèi)容，可以節(jié)省大量時(shí)間。