燒錄NAND Flash程序時(shí)校驗(yàn)為什么提示出錯(cuò)？NAND閃存不同于普通的閃存結(jié)構(gòu)。由于NAND flash的特點(diǎn)，位反轉(zhuǎn)時(shí)有發(fā)生，所以燒錄時(shí)要注意ECC。位反轉(zhuǎn)是指NAND閃存中位的變化，即從1到0

燒錄NAND Flash程序時(shí)校驗(yàn)為什么提示出錯(cuò)？

NAND閃存不同于普通的閃存結(jié)構(gòu)。由于NAND flash的特點(diǎn)，位反轉(zhuǎn)時(shí)有發(fā)生，所以燒錄時(shí)要注意ECC。位反轉(zhuǎn)是指NAND閃存中位的變化，即從1到0或從0到1。小容量的Nandflash不易產(chǎn)生位反轉(zhuǎn)，如1GBIT和2GBIT，而大容量的Nandflash容易產(chǎn)生位反轉(zhuǎn)，如32GBIT。位反轉(zhuǎn)產(chǎn)生的原因有幾個(gè)：漂移效應(yīng)：漂移效應(yīng)是指NAND閃存中單元的電壓值變化緩慢，與初始值不同。編程干擾引起的錯(cuò)誤：這種現(xiàn)象有時(shí)被稱為過(guò)度編程效應(yīng)。對(duì)某一頁(yè)的編程操作，即寫(xiě)操作，會(huì)導(dǎo)致其他不相關(guān)頁(yè)的位跳變。讀操作干擾引起的錯(cuò)誤：這種影響是當(dāng)讀一頁(yè)時(shí)，相應(yīng)位的數(shù)據(jù)永久地改變，即NAND flash上的位的值改變。T如果在燒錄過(guò)程中沒(méi)有設(shè)置相應(yīng)的ECC，則在驗(yàn)證過(guò)程中發(fā)現(xiàn)NAND flash中的數(shù)據(jù)與原始數(shù)據(jù)不同，燒錄會(huì)提示錯(cuò)誤。解決方法是在燃燒前設(shè)置ECC。例如，smartpro6000f plus就是這樣設(shè)置的，如下圖所示。

用WINFLASH刷主板BIOS的時(shí)候出現(xiàn)BIOS二進(jìn)制文件校驗(yàn)和錯(cuò)誤。請(qǐng)問(wèn)可有解決辦法？

1. 請(qǐng)確保新的BIOS必須屬于您的主板

]（不要認(rèn)為看同一型號(hào)就可以使用，同一型號(hào)的主板有不同的版本）

2。確保下載的BIOS沒(méi)有損壞，即使型號(hào)和版本是相同的，然后你可以刷它

3。有些主板刷新工具有校驗(yàn)功能，要求BIOS的大小、版本、硬件代碼正確，可以使用刷新工具的“強(qiáng)制刷新”參數(shù)隨時(shí)刷新

4。為了提醒您，請(qǐng)使用BIOS刷新工具備份BIOS中的舊BIOS文件并存儲(chǔ)它們。如果刷錯(cuò)了，可以把舊的刷回去。如果損壞了，您也可以卸下BIOS芯片，使用舊的BIOS文件為他人提供幫助