nor flash和nand flash的區(qū)別？NAND flash和NOR flash是flash芯片的兩種主要類型，應(yīng)用非常廣泛。這兩種芯片都是非易失性存儲器，可以擦除、寫入和重新編程存儲單元。它

nor flash和nand flash的區(qū)別？

NAND flash和NOR flash是flash芯片的兩種主要類型，應(yīng)用非常廣泛。這兩種芯片都是非易失性存儲器，可以擦除、寫入和重新編程存儲單元。它們在閱讀速度、書寫速度、容量、不良速度、擦除次數(shù)、適用性等方面存在明顯差異。

nor flash是如何讀寫數(shù)據(jù)的？

閃存是一種非易失性和電可擦除半導(dǎo)體存儲器。最早的可擦除半導(dǎo)體存儲器是EPROM，它需要紫外線。后來出現(xiàn)了EEPROM，但擦除電壓遠(yuǎn)高于工作電壓，速度相對較慢。Flash的出現(xiàn)，擦除可以采用接近讀取電壓的方法來實現(xiàn)，而且擦除速度比較快，因此使用本詞匯表。這是一種半導(dǎo)體技術(shù)。在半導(dǎo)體技術(shù)方面，主要的區(qū)別是需要核對相關(guān)資料。最早的閃存是nor型，即有地址線和數(shù)據(jù)線，這與ram接口非常相似。當(dāng)?shù)刂肪€添加地址信號時，存儲在閃存中的數(shù)據(jù)將在數(shù)據(jù)線上讀出。但是，如果這種結(jié)構(gòu)需要存儲大量的數(shù)據(jù)，就會產(chǎn)生大量的地址行和數(shù)據(jù)行，不適合存儲大量的數(shù)據(jù)。后來，NAND閃存可用于存儲大量數(shù)據(jù)，它采用塊讀寫模式，具有大容量、減少引腳和相對成本。這種閃存可用于固態(tài)硬盤、手機(jī)等程序存儲器。