原子層沉積（ATLD）是一種將材料以單原子薄膜的形式逐層沉積在襯底表面的方法。原子層沉積類似于化學(xué)沉積。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)與前一層原子膜直接相關(guān)，使得每個(gè)反應(yīng)只沉積一層原子。

原子層沉積（ATLD）是一種將材料以單原子薄膜的形式逐層沉積在襯底表面的方法。原子層沉積類似于化學(xué)沉積。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)與前一層原子膜直接相關(guān)，使得每個(gè)反應(yīng)只沉積一層原子。原子層沉積，又稱原子層沉積或原子層外延，由芬蘭科學(xué)家首次提出并應(yīng)用于多晶熒光材料ZnS:Mn這些材料用于平板顯示器。由于表面化學(xué)過程復(fù)雜，沉積速率低，這項(xiàng)技術(shù)直到上世紀(jì)80年代中后期才取得實(shí)質(zhì)性突破，然而到了90年代中期，人們對(duì)這項(xiàng)技術(shù)的興趣不斷增加，主要原因是微電子和深亞微米芯片技術(shù)的發(fā)展對(duì)芯片尺寸的要求越來越高器件和材料要減少，而器件的長寬比卻在增加，所以所用材料的厚度要減少到幾個(gè)納米量級(jí)[5-6]。因此，體現(xiàn)了原子層沉積技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，如單原子層連續(xù)沉積，沉積層厚度極為均勻，一致性好，沉積速度慢的問題并不重要。以下主要論述了原子層沉積的原理和化學(xué)，原子層沉積與其它相關(guān)技術(shù)的比較，原子層沉積設(shè)備，原子層沉積的應(yīng)用和原子層沉積技術(shù)的發(fā)展。

原子層沉積的原理？

1. 自學(xué)（這是第一個(gè)條件）

2。多參加技術(shù)討論，增加自己的人員，這對(duì)新手來說非常重要。軟件業(yè)喜歡在內(nèi)部推波助瀾

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原子吸收光譜法（AAS），也稱為原子吸收光譜法（AAS），是一種儀器分析方法，用于根據(jù)待測(cè)元素在氣相中基態(tài)原子共振輻射的吸收強(qiáng)度來確定樣品中元素的含量。是測(cè)定痕量和超微量元素的有效方法。它具有靈敏度高、干擾少、選擇性好、操作簡單快捷、結(jié)果準(zhǔn)確可靠、適用范圍廣、儀器簡單、價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)操作。因此，它近年來發(fā)展迅速，是一種應(yīng)用廣泛的新型儀器分析技術(shù)。