c 中封裝是借助什么達(dá)到的？它是通過(guò)類來(lái)實(shí)現(xiàn)的。類是一種基于C語(yǔ)言和面向?qū)ο缶幊趟枷氲挠脩舳x類型。它支持成員變量、成員函數(shù)、繼承、多態(tài)等。在C語(yǔ)言編程中，我們首先將實(shí)際的概念抽象為類來(lái)實(shí)現(xiàn)特征的封

c 中封裝是借助什么達(dá)到的？

它是通過(guò)類來(lái)實(shí)現(xiàn)的。類是一種基于C語(yǔ)言和面向?qū)ο缶幊趟枷氲挠脩舳x類型。它支持成員變量、成員函數(shù)、繼承、多態(tài)等。在C語(yǔ)言編程中，我們首先將實(shí)際的概念抽象為類來(lái)實(shí)現(xiàn)特征的封裝，然后通過(guò)類對(duì)象的定義將類實(shí)例化為對(duì)象。

封裝的概念是什么?如何實(shí)現(xiàn)封裝？

封裝，即隱藏對(duì)象的屬性和實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)，只對(duì)外公開(kāi)接口，控制讀取和修改程序中屬性的訪問(wèn)級(jí)別；將抽象數(shù)據(jù)與行為（或函數(shù)）結(jié)合起來(lái)，形成一個(gè)有機(jī)的整體，即將數(shù)據(jù)與功能結(jié)合起來(lái)將操作數(shù)據(jù)的源代碼組成一個(gè)“類”，其中的數(shù)據(jù)和函數(shù)都是類的成員。

1. 面向?qū)ο蠓庋b的主要功能是解決程序的可擴(kuò)展性問(wèn)題。它可以在不影響其他部分的情況下進(jìn)行修改或封裝，以擴(kuò)展整個(gè)程序。

2. 如何封裝

一般用類來(lái)封裝。在類中，使用private修改屬性以使其他類看不到它們。示例：

class person{

private string name

private int age

public void tell（）{系統(tǒng)輸出打?。ā癗ame:”Name“age）]}]}]當(dāng)在類內(nèi)部訪問(wèn)這些屬性時(shí)，需要使用此關(guān)鍵字。封裝屬性后，其他類無(wú)法訪問(wèn)它們。因此，我們需要實(shí)現(xiàn)這個(gè)屬性的get和set方法，以便可以從外部訪問(wèn)它們。

public void setName（字符串名）{這個(gè)名字=Name//使用this關(guān)鍵字訪問(wèn)

}

public string getname（）{

return Name

}

]那么這個(gè)set/get方法會(huì)破壞封裝嗎？

不。Set/get方法是封裝的一個(gè)實(shí)施例。將財(cái)產(chǎn)私有化，提供公共方法來(lái)訪問(wèn)和設(shè)置財(cái)產(chǎn)，并在get和set方法中設(shè)置條件來(lái)控制財(cái)產(chǎn)，以防止財(cái)產(chǎn)被賦予一些非法價(jià)值。

設(shè)置set/get方法后，類中的方法還應(yīng)調(diào)用set/get方法來(lái)設(shè)置/獲取屬性值。

公共void tell（）{系統(tǒng)輸出打?。ā癗ame:”getname（）“age:”getage（））

芯片里面有幾千萬(wàn)的晶體管是怎么實(shí)現(xiàn)的？

1。濕法清洗（使用各種試劑保持硅片表面無(wú)雜質(zhì)）2。光刻（利用紫外光透過(guò)掩模照射硅片，被照射的區(qū)域容易被沖掉，未被照射的區(qū)域保持不變。因此，可以在硅片3上雕刻期望的圖案。離子注入（在硅片的不同位置加入不同的雜質(zhì)，根據(jù)不同的濃度/位置形成場(chǎng)效應(yīng)晶體管）4.1干法刻蝕（以前光刻過(guò)的形狀很多）。事實(shí)上，我們現(xiàn)在沒(méi)有必要為離子注入進(jìn)行蝕刻，我們需要用等離子體將它們洗掉，或者我們需要蝕刻一些在光刻的第一步中不需要蝕刻的結(jié)構(gòu)。4.2濕法蝕刻（進(jìn)一步?jīng)_洗，但使用試劑，因此稱為濕法蝕刻）。

——完成上述步驟后，場(chǎng)效應(yīng)晶體管已經(jīng)制作完成~但上述步驟通常不止一次，可能需要重復(fù)進(jìn)行才能滿足要求。---5等離子清洗（用弱等離子束轟擊整個(gè)芯片）

6熱處理，又分為：6.1快速熱退火（即用大功率燈在1200℃以上瞬間照亮整個(gè)薄膜，然后緩慢冷卻，為了使注入離子更好地啟動(dòng)和熱氧化，我們需要10次電鍍處理，11次化學(xué)/機(jī)械表面處理，然后芯片幾乎完成。接下來(lái)，我們需要測(cè)試12個(gè)晶圓并研磨13個(gè)晶圓