場(chǎng)效應(yīng)管有什么用處？雖然FET和BJT三極管都是半導(dǎo)體放大器，但它們比三極管有許多優(yōu)點(diǎn)。例如，它們的輸入電阻很高，對(duì)信號(hào)源幾乎沒(méi)有電流，這有利于輸入信號(hào)的穩(wěn)定。它們是輸入級(jí)放大的理想器件，并且具有噪聲

場(chǎng)效應(yīng)管有什么用處？

雖然FET和BJT三極管都是半導(dǎo)體放大器，但它們比三極管有許多優(yōu)點(diǎn)。例如，它們的輸入電阻很高，對(duì)信號(hào)源幾乎沒(méi)有電流，這有利于輸入信號(hào)的穩(wěn)定。它們是輸入級(jí)放大的理想器件，并且具有噪聲低、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。它們常被用作音頻放大電路中的前置放大器，但由于是壓控電流器件，漏極電流由門極和源極之間的電壓控制，放大系數(shù)的低頻跨導(dǎo)一般較小，所以放大能力較差。

采用場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為電子開關(guān)時(shí)，由于它只依賴于多載流子導(dǎo)通，不存在BJT晶體管基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，所以MOS晶體管的開關(guān)速度比三極管快。作為一種開關(guān)，它通常用于高頻大電流場(chǎng)合，如開關(guān)電源中使用的MOS晶體管工作在高頻大電流狀態(tài)。

與BJT晶體管開關(guān)相比，F(xiàn)ET開關(guān)可以工作在極低的電壓和電流下，更容易集成在硅片上，因此在大規(guī)模集成電路中得到廣泛應(yīng)用。

5n60場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)？

5n60為n溝道MOSFET，漏極電流為4.5a，脈沖電流為18a，D-S耐壓為600V，

功耗：33W，工作溫度范圍：-55°C至150°C，封裝類型：to-220f，功率，PD:33W，封裝類型：to-220f，常用作開關(guān)電源中的開關(guān)