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flash校驗(yàn)地址錯誤0h 燒錄NAND Flash程序時校驗(yàn)為什么提示出錯?

燒錄NAND Flash程序時校驗(yàn)為什么提示出錯?NAND閃存不同于普通的閃存結(jié)構(gòu)。由于NAND flash的特點(diǎn),位反轉(zhuǎn)時有發(fā)生,所以燒錄時要注意ECC。位反轉(zhuǎn)是指NAND閃存中位的變化,即從1到0

燒錄NAND Flash程序時校驗(yàn)為什么提示出錯?

NAND閃存不同于普通的閃存結(jié)構(gòu)。由于NAND flash的特點(diǎn),位反轉(zhuǎn)時有發(fā)生,所以燒錄時要注意ECC。位反轉(zhuǎn)是指NAND閃存中位的變化,即從1到0或從0到1。例如,很容易反轉(zhuǎn)32GBIT和2GBIT的容量。位反轉(zhuǎn)產(chǎn)生的原因有幾個:漂移效應(yīng):漂移效應(yīng)是指NAND閃存中單元的電壓值變化緩慢,與初始值不同。編程干擾引起的錯誤:這種現(xiàn)象有時被稱為過度編程效應(yīng)。對某一頁的編程操作,即寫操作,會導(dǎo)致其他不相關(guān)頁的位跳變。讀操作干擾引起的錯誤:這種影響是當(dāng)讀一頁時,相應(yīng)位的數(shù)據(jù)永久地改變,即NAND flash上的位的值改變。T如果在燒錄過程中沒有設(shè)置相應(yīng)的ECC,則在驗(yàn)證過程中發(fā)現(xiàn)NAND flash中的數(shù)據(jù)與原始數(shù)據(jù)不同,燒錄會提示錯誤。解決方法是在燃燒前設(shè)置ECC。例如,smartpro6000f plus就是這樣設(shè)置的,如下圖所示。