場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是什么？總之，F(xiàn)ET的工作原理是“ID流經(jīng)漏源溝道，用于控制柵溝道PN結(jié)形成的反向偏置柵電壓”。1. 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）被稱為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性載流子組成的，

場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是什么？

總之，F(xiàn)ET的工作原理是“ID流經(jīng)漏源溝道，用于控制柵溝道PN結(jié)形成的反向偏置柵電壓”。

1. 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）被稱為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性載流子組成的，即多數(shù)載流子和極性相反的少數(shù)載流子參與導(dǎo)通，所以稱為雙極型晶體管，而場(chǎng)效應(yīng)管是只由多數(shù)載流子參與導(dǎo)通的，它與雙極型晶體管相反，又稱單極型晶體管。它是一種壓控半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108-109Ω）、噪聲低、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。它已成為雙極晶體管和功率晶體管的有力競(jìng)爭(zhēng)者。

2. 大場(chǎng)門效應(yīng)有兩種。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）因其具有兩個(gè)PN結(jié)而得名，而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（jgfet）因其柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前，絕緣柵MOSFET中廣泛使用的有MOSFET（metal-oxide-semiconductor-MOSFET）、PMOS、NMOS和VMOS功率MOSFET、πmosmosfet和VMOS功率模塊。

3. 根據(jù)溝道半導(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型分為溝道型和p溝道型。按導(dǎo)通方式劃分，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為耗盡型和增強(qiáng)型。結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管為耗盡型，絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管既有耗盡型又有增強(qiáng)型。

場(chǎng)效應(yīng)管有什么用處？

雖然FET和BJT三極管都是半導(dǎo)體放大器，但它們比三極管有很多優(yōu)點(diǎn)，比如輸入電阻高，信號(hào)源幾乎沒有電流，有利于輸入信號(hào)的穩(wěn)定。它具有噪聲低、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，是輸入級(jí)放大的理想器件。它們常被用作音頻放大電路中的前置放大器，但由于是壓控電流器件，漏極電流由門極和源極之間的電壓控制，放大系數(shù)的低頻跨導(dǎo)一般較小，不適合應(yīng)用，所以放大能力差。

采用場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為電子開關(guān)時(shí)，由于它只依賴于多載流子導(dǎo)通，不存在BJT晶體管基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，所以MOS晶體管的開關(guān)速度比三極管快。作為一種開關(guān)，它通常用于高頻大電流場(chǎng)合，如開關(guān)電源中使用的MOS晶體管工作在高頻大電流狀態(tài)。

與BJT晶體管開關(guān)相比，F(xiàn)ET開關(guān)可以工作在極低的電壓和電流下，更容易集成在硅片上，因此在大規(guī)模集成電路中得到廣泛應(yīng)用。