nor flash是如何讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的？Flash是一種非易失性、電可擦除的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。最早的可擦除半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是EPROM，它需要紫外線。后來(lái)出現(xiàn)了EEPROM，但擦除電壓遠(yuǎn)高于工作電壓，速度相對(duì)較慢

nor flash是如何讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的？

Flash是一種非易失性、電可擦除的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。最早的可擦除半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是EPROM，它需要紫外線。后來(lái)出現(xiàn)了EEPROM，但擦除電壓遠(yuǎn)高于工作電壓，速度相對(duì)較慢。Flash的出現(xiàn)，擦除可以采用接近讀取電壓的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，而且擦除速度比較快，因此使用本詞匯表。這是一種半導(dǎo)體技術(shù)。在半導(dǎo)體技術(shù)方面，主要的區(qū)別是需要核對(duì)相關(guān)資料。最早的閃存是nor型，即有地址線和數(shù)據(jù)線，這與ram接口非常相似。當(dāng)?shù)刂肪€添加地址信號(hào)時(shí)，存儲(chǔ)在閃存中的數(shù)據(jù)將在數(shù)據(jù)線上讀出。但是，如果這種結(jié)構(gòu)需要存儲(chǔ)大量的數(shù)據(jù)，就會(huì)產(chǎn)生大量的地址行和數(shù)據(jù)行，不適合存儲(chǔ)大量的數(shù)據(jù)。后來(lái)，NAND閃存可用于存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)，它采用塊讀寫(xiě)模式，具有大容量、減少引腳和相對(duì)成本。這種閃存可用于固態(tài)硬盤(pán)、手機(jī)等程序存儲(chǔ)器。