閂鎖效應(yīng)是什么？鎖存效應(yīng)是CMOS工藝中的寄生效應(yīng)，它會導(dǎo)致電路故障甚至芯片燒毀。鎖存效應(yīng)是由NMOS有源區(qū)、p襯底、n阱和PMOS有源區(qū)組成的n-p-n-p結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的。當(dāng)其中一個晶體管正偏壓時，它將

閂鎖效應(yīng)是什么？

鎖存效應(yīng)是CMOS工藝中的寄生效應(yīng)，它會導(dǎo)致電路故障甚至芯片燒毀。鎖存效應(yīng)是由NMOS有源區(qū)、p襯底、n阱和PMOS有源區(qū)組成的n-p-n-p結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的。當(dāng)其中一個晶體管正偏壓時，它將形成正反饋以形成鎖存。避免鎖存的方法是降低襯底和n阱的寄生電阻，使寄生晶體管不處于正偏壓狀態(tài)。靜電是一種無形的破壞力，它會影響電子元件。ESD和相關(guān)的電壓瞬變會引起閉鎖，閉鎖是半導(dǎo)體器件失效的主要原因之一。如果對器件結(jié)構(gòu)中的氧化膜施加強電場，氧化膜會因介質(zhì)擊穿而損壞。很薄的金屬化痕跡會因高電流而損壞，并且會因浪涌電流引起的過熱而形成開路。這就是所謂的“閉鎖效應(yīng)”。在閉鎖的情況下，設(shè)備在電源和接地之間形成短路，導(dǎo)致大電流、EOS（電過載）和設(shè)備損壞。MOS工藝包含許多本征雙極晶體管。在CMOS工藝中，阱與襯底的結(jié)合導(dǎo)致了寄生n-p-n-p結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)會導(dǎo)致Vdd和VSS線路短路，這通常會損壞芯片或引起系統(tǒng)錯誤。

例如，在n阱結(jié)構(gòu)中，n-p-n-p結(jié)構(gòu)由NMOS源、p襯底、n阱和PMOS源組成。當(dāng)兩個雙極晶體管中的一個正向偏置時（例如，由于流過阱或襯底的電流），另一個晶體管的基極電流增加。這種正反饋將持續(xù)導(dǎo)致電流增加，直到電路故障或燒毀。

通過提供大量的井和基板接觸，可以避免閂鎖效應(yīng)。鎖存效應(yīng)在早期CMOS工藝中非常重要。但這已經(jīng)不是問題了。近年來，工藝改進和設(shè)計優(yōu)化已經(jīng)消除了閉鎖的風(fēng)險。閉鎖的定義是閉鎖效應(yīng)的原理。我知道結(jié)構(gòu)的變化，熔融狀態(tài)的變化，鎖存效應(yīng)是CMOS工藝特有的寄生效應(yīng)，它會嚴重導(dǎo)致電路故障甚至芯片燒毀。鎖存效應(yīng)是由NMOS有源區(qū)、p襯底、n阱和PMOS有源區(qū)組成的n-p-n-p結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的。當(dāng)其中一個晶體管正偏壓時，它將形成正反饋以形成鎖存。避免鎖存的方法是降低襯底和n阱的寄生電阻，使寄生晶體管不處于正偏壓狀態(tài)。靜電是一種無形的破壞力，它會影響電子元件。ESD和相關(guān)的電壓瞬變會引起閉鎖，閉鎖是半導(dǎo)體器件失效的主要原因之一。如果對器件結(jié)構(gòu)中的氧化膜施加強電場，氧化膜會因介質(zhì)擊穿而損壞。很薄的金屬化痕跡會因高電流而損壞，并且會因浪涌電流引起的過熱而形成開路。這就是所謂的“閉鎖效應(yīng)”。在閉鎖的情況下，設(shè)備在電源和接地之間形成短路，導(dǎo)致大電流、EOS（電過載）和設(shè)備損壞。MOS工藝包含許多本征雙極晶體管。在CMOS工藝中，阱與襯底的結(jié)合導(dǎo)致了寄生n-p-n-p結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)會導(dǎo)致Vdd和VSS線路短路，這通常會損壞芯片或引起系統(tǒng)錯誤。例如，在n阱結(jié)構(gòu)中，n-p-n-p結(jié)構(gòu)由NMOS源、p襯底、n阱和PMOS源組成。當(dāng)兩個雙極晶體管中的一個正向偏置時（例如，由于流過阱或襯底的電流），另一個晶體管的基極電流增加。這種正反饋將持續(xù)導(dǎo)致電流增加，直到電路故障或燒毀。通過提供大量的阱和襯底接觸，可以避免閂鎖效應(yīng)。鎖存效應(yīng)在早期CMOS工藝中非常重要。但這已經(jīng)不是問題了。近年來，工藝改進和設(shè)計優(yōu)化已經(jīng)消除了閉鎖的風(fēng)險。鎖存是CMOS工藝中的一種寄生效應(yīng)，它會導(dǎo)致電路失效甚至芯片燒毀。鎖存效應(yīng)是由NMOS有源區(qū)、p襯底、n阱和PMOS有源區(qū)組成的n-p-n-p結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的。當(dāng)其中一個晶體管正偏壓時，它將形成正反饋以形成鎖存。避免鎖存的方法是降低襯底和n阱的寄生電阻，使寄生晶體管不處于正偏壓狀態(tài)。靜電是一種無形的破壞力，它會影響電子元件。ESD和相關(guān)的電壓瞬變會引起閉鎖，閉鎖是半導(dǎo)體器件失效的主要原因之一。如果對器件結(jié)構(gòu)中的氧化膜施加強電場，氧化膜會因介質(zhì)擊穿而損壞。很薄的金屬化痕跡會因高電流而損壞，并且會因浪涌電流引起的過熱而形成開路。這就是所謂的“閉鎖效應(yīng)”。在閉鎖的情況下，設(shè)備在電源和接地之間形成短路，導(dǎo)致大電流、EOS（電過載）和設(shè)備損壞。MOS工藝包含許多本征雙極晶體管。在CMOS工藝中，阱與襯底的結(jié)合導(dǎo)致了寄生n-p-n-p結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)會導(dǎo)致Vdd和VSS線路短路，這通常會損壞芯片或引起系統(tǒng)錯誤。例如，在n阱結(jié)構(gòu)中，n-p-n-p結(jié)構(gòu)由NMOS源、p襯底、n阱和PMOS源組成。當(dāng)兩個雙極晶體管中的一個正向偏置時（例如，由于流過阱或襯底的電流），另一個晶體管的基極電流增加。這種正反饋將持續(xù)導(dǎo)致電流增加，直到電路故障或燒毀。通過提供大量的阱和襯底接觸，可以避免閂鎖效應(yīng)。鎖存效應(yīng)在早期CMOS工藝中非常重要。但這已經(jīng)不是問題了。近年來，工藝改進和設(shè)計優(yōu)化已經(jīng)消除了閉鎖的風(fēng)險。閉鎖的定義