靜態(tài)存儲(chǔ)器與動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的定義是什么？根據(jù)生產(chǎn)過程，內(nèi)存分為靜態(tài)內(nèi)存和動(dòng)態(tài)內(nèi)存。靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）具有讀寫速度快、生產(chǎn)成本高等優(yōu)點(diǎn)，主要用于小容量的高速緩存。動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（DRAM）：讀寫速度慢，集成

靜態(tài)存儲(chǔ)器與動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的定義是什么？

根據(jù)生產(chǎn)過程，內(nèi)存分為靜態(tài)內(nèi)存和動(dòng)態(tài)內(nèi)存。靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）具有讀寫速度快、生產(chǎn)成本高等優(yōu)點(diǎn)，主要用于小容量的高速緩存。動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（DRAM）：讀寫速度慢，集成度高，生產(chǎn)成本低，主要用于大容量主存儲(chǔ)器。靜態(tài)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的主要性能比較如下表所示：靜態(tài)和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器芯片特性比較sramdram存儲(chǔ)器信息觸發(fā)電容破壞性讀取不需要刷新，不需要同時(shí)發(fā)送行地址和列地址兩次發(fā)送，運(yùn)行速度快、速度慢、集成度低、熱值大、存儲(chǔ)成本高、動(dòng)態(tài)內(nèi)存周期性刷新低：當(dāng)不進(jìn)行讀寫操作時(shí)，每個(gè)單元的DRAM內(nèi)存都處于斷電狀態(tài)。由于存在泄漏，存儲(chǔ)在電容器CS上的電荷將慢慢泄漏。因此，必須定期補(bǔ)充，這就是所謂的刷新操作

靜態(tài)存儲(chǔ)器是指依靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)器。雙穩(wěn)態(tài)電路是一種有源器件，需要電源才能工作。只要電源正常，就可以長期穩(wěn)定地保存信息，所以稱為靜態(tài)存儲(chǔ)器。如果電源關(guān)閉，信息將丟失，這屬于易失性存儲(chǔ)器，即volatile。動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器是指在特定功能或應(yīng)用軟件之間共享的存儲(chǔ)器。如果一個(gè)或兩個(gè)應(yīng)用程序占用了所有的內(nèi)存空間，就不可能為其他應(yīng)用程序分配內(nèi)存空間。存儲(chǔ)器控制電路需要根據(jù)一定的時(shí)間段刷新存儲(chǔ)器以保持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)。