半導(dǎo)體制造技術(shù) 7 nm挑戰(zhàn)的是工藝制程,為什么不直接用加大芯片體積去彌補(bǔ)?
7 nm挑戰(zhàn)的是工藝制程,為什么不直接用加大芯片體積去彌補(bǔ)?為了實(shí)現(xiàn)功能,增加芯片面積往往是無奈之舉。增加芯片面積往往會帶來兩個(gè)問題:而且兩者都有很大的影響。成本當(dāng)掩模完成,芯片投入批量生產(chǎn)時(shí),由于成
7 nm挑戰(zhàn)的是工藝制程,為什么不直接用加大芯片體積去彌補(bǔ)?
為了實(shí)現(xiàn)功能,增加芯片面積往往是無奈之舉。增加芯片面積往往會帶來兩個(gè)問題:
而且兩者都有很大的影響。
成本
當(dāng)掩模完成,芯片投入批量生產(chǎn)時(shí),由于成品率問題,單個(gè)芯片的成本與面積不成正比,而遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于面積比。換言之,如果面積翻番,成本將是原來的兩倍多,可能是原來的三倍甚至四倍。
當(dāng)然,成本隨流程而變化。畢竟,舊設(shè)備總是比新設(shè)備便宜。然而,對于芯片的大規(guī)模生產(chǎn),新工藝仍將帶來顯著的成本降低(在功能相同的情況下)。當(dāng)然,使用舊工藝意味著單個(gè)芯片的成本將增加。
耗電量
熱值完全由耗電量決定,所以我們把耗電量和加熱量結(jié)合起來。
簡而言之,技術(shù)越先進(jìn),晶體管越?。▽?shí)際上是MOS晶體管);晶體管越小,功耗越低。完成相同功能所需的晶體管可以看作是相同的,因此晶體管越小,功耗越低。
其實(shí)沒那么嚴(yán)重
看來7Nm工藝比14nm工藝好多了,不是嗎?事實(shí)上,它并沒有字面上那么糟糕。以芯片制造的早期階段為例,0.5μm是1μm的兩倍,但在幾納米的水平上,并沒有這么大的差距。主要原因是,在這個(gè)水平:
讓我們這樣說,7Nm肯定比14nm好,但不是那么多。頻率、晶體管數(shù)量和功耗與設(shè)計(jì)密切相關(guān)。只要能提高設(shè)計(jì)水平,即使在14nm處,仍有很大的潛力有待挖掘。
16年前,intel能夠在130nm工藝中制造3.4GHz P4,可以說是挖掘了當(dāng)時(shí)工藝的潛力。
我們主要工廠的設(shè)計(jì)是否達(dá)到16年前的英特爾水平?也就是說,僅僅依靠富強(qiáng),依靠外部工藝升級和自身設(shè)計(jì)水平?jīng)]有多大提高?
為什么原來說7nm是半導(dǎo)體工藝的極限,但現(xiàn)在又被突破了?
具體來說,7Nm極限是半導(dǎo)體FinFET工藝下的物理極限,而相對的意義是,每當(dāng)遇到瓶頸時(shí),行業(yè)都會引入新的材料或結(jié)構(gòu)來克服傳統(tǒng)工藝的限制。
十年前,我們達(dá)到了65nm的技術(shù)極限。將HKMG引入工業(yè),用高k介質(zhì)代替二氧化硅。
五年前,我們達(dá)到了22nm的技術(shù)極限。工業(yè)界發(fā)明了FinFET和fd-soi。前者采用三維結(jié)構(gòu)代替平面器件以提高柵控能力,后者采用氧化物埋層以減少漏電流。
現(xiàn)在7Nm是新的工藝極限。在工業(yè)上,用InGaAs代替硅溝道來提高器件性能。
當(dāng)然,這是驚人的成本。每一代流程的復(fù)雜性和成本都在上升?,F(xiàn)在只剩下英特爾、臺積電、三星和全球鑄造廠來支持最先進(jìn)的工藝制造。
華為芯片不能在中國公司可代工的制程14nm工藝上提高性能嗎?
14nm也是中國大陸制造的。
中芯國際的14nm生產(chǎn)線仍然包含了大量美國技術(shù)(至少目前是這樣,以后是否會被替換將不在這里討論)。但早些時(shí)候,有人說,一家企業(yè)正在使其生產(chǎn)線非美國化,并正在開發(fā)更高級的制造工藝。
在同一區(qū)域放置更多的晶體管將提高芯片性能,降低整體功耗和散熱壓力,這是工藝升級的意義。如果保持在14nm,要不斷提高性能,就必須增加芯片的尺寸,這就帶來了主板空間占用和功耗的問題。這些問題的后果是手機(jī)的發(fā)熱越來越嚴(yán)重,電池壽命越來越短,這些都是我們必須面對的問題。如上所述,正是這些問題推動了制造工藝的不斷發(fā)展。英特爾的核心處理器比手機(jī)處理器更不急于處理,因?yàn)楣暮蜕岵皇荘C的痛點(diǎn)
手機(jī)是消費(fèi)者用真金白銀購買的工具。如果一個(gè)品牌的產(chǎn)品體驗(yàn)越來越差,只會砸自己的品牌。
綜上所述,華為堅(jiān)持14nm并非明智和可持續(xù)的選擇。
再多說幾句:只有中國人掌握了從工業(yè)設(shè)計(jì)軟件到芯片生產(chǎn)線的全過程技術(shù),才能不被美國人扼殺。未來,碳基等新技術(shù)在芯片制造領(lǐng)域?qū)⒂袕V闊的發(fā)展前景。
我希望中國人民能夠扎根南泥灣,通過自己的努力在塞北開辟一個(gè)美好的江南!