如何使用multisim繪制MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線？執(zhí)行以下電路，使用直流掃描分析（模擬|分析|直流掃描）來(lái)描述V3，輸出V1電流，適當(dāng)設(shè)置起始電壓、結(jié)束電壓和步長(zhǎng)。左轉(zhuǎn)|右轉(zhuǎn)MOS晶體管只有四個(gè)管腳

如何使用multisim繪制MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線？

執(zhí)行以下電路，使用直流掃描分析（模擬|分析|直流掃描）來(lái)描述V3，輸出V1電流，適當(dāng)設(shè)置起始電壓、結(jié)束電壓和步長(zhǎng)。左轉(zhuǎn)|右轉(zhuǎn)

MOS晶體管只有四個(gè)管腳，即漏極、柵極、源極和襯底。 -nmos和PMOS的連接是不同的。R-nmos：漏極→輸出信號(hào)、柵極→輸入信號(hào)、源極→低電平（或地）、襯底→低電平（或地）。R PMOS：漏極→輸出信號(hào)、柵極→輸入信號(hào)、源極→高電平（或電源）、襯底→高電平（或電源）。R MOS晶體管有三個(gè)有用的引腳：源極、漏極和柵極。冗余管腳可以是同名管腳（內(nèi)部與漏極和柵極連接，特別是一些大功率晶體管），也可以是空管腳（沒(méi)有內(nèi)部連接，僅用于焊接和固定）。R

！首先打開(kāi)軟件，開(kāi)始創(chuàng)建一個(gè)新的項(xiàng)目，點(diǎn)擊空白文檔圖標(biāo)，創(chuàng)建一個(gè)新的項(xiàng)目，然后保存，設(shè)置一個(gè)好的路徑查找，保存它！然后放置組件，連接組件，你可以等待模擬，最后放置測(cè)量?jī)x器！點(diǎn)擊上面運(yùn)行的圖標(biāo)，現(xiàn)在軟件可以模擬軟件

電壓表也可以讀取數(shù)值，

還可以調(diào)整開(kāi)關(guān)得到不同的結(jié)果

關(guān)閉上面的開(kāi)關(guān)，現(xiàn)在可以看到電壓表的讀數(shù)是0，表示三極管沒(méi)有打開(kāi)

數(shù)據(jù)測(cè)試完成，點(diǎn)擊停止退出模擬

現(xiàn)在保存項(xiàng)目，保存后可以退出軟件，方便下次使用