如何進(jìn)BIOS設(shè)置修改內(nèi)存的響應(yīng)時(shí)間？調(diào)整內(nèi)存模塊的響應(yīng)時(shí)間，進(jìn)入CMOS主界面，選擇【芯片組功能設(shè)置】，可更改以下參數(shù)：SDRAM RAS to CAS delay：此項(xiàng)控制SDRAM內(nèi)存模塊的RA

如何進(jìn)BIOS設(shè)置修改內(nèi)存的響應(yīng)時(shí)間？

調(diào)整內(nèi)存模塊的響應(yīng)時(shí)間，進(jìn)入CMOS主界面，選擇【芯片組功能設(shè)置】，可更改以下參數(shù)：SDRAM RAS to CAS delay：此項(xiàng)控制SDRAM內(nèi)存模塊的RAS（行地址選通）與CAS（列地址選通）之間的延遲時(shí)間，默認(rèn)值為3。

嘗試將其更改為2。如果它不穩(wěn)定，把它改回3。SDRAM Ras預(yù)充電時(shí)間：此項(xiàng)為內(nèi)存行地址選通脈沖的預(yù)充電時(shí)間。默認(rèn)值為3。它用于控制刷新SDRAM之前Ras預(yù)充電所需的時(shí)鐘周期數(shù)。您可以將預(yù)充電時(shí)間設(shè)置為2，這樣可以提高內(nèi)存的性能。如果不穩(wěn)定，回到3。SDRAM CAS延遲時(shí)間：設(shè)置內(nèi)存的CAS延遲時(shí)間。如果您的內(nèi)存模塊質(zhì)量良好，并且速度規(guī)格為10ns（包括高于此標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存模塊），則可以嘗試將原來的3更改為2。如果系統(tǒng)不穩(wěn)定，則改回3。注意：更改此選項(xiàng)要求內(nèi)存模塊的質(zhì)量非常好，如果質(zhì)量不好，很容易出現(xiàn)死機(jī)、自動重啟、非法操作等故障。如果存在不穩(wěn)定性，則應(yīng)將這些值更改回原始值。