國產(chǎn)芯片制造工藝詳解？1.濕法清洗(使用各種試劑保持硅片表面無雜質(zhì))2.光刻(用紫外線透過掩膜照射硅片，照射的地方會(huì)很容易被洗掉，未照射的地方保持原樣。因此可以在硅片上雕刻出所需的圖案。注意，此時(shí)沒有

國產(chǎn)芯片制造工藝詳解？

1.濕法清洗(使用各種試劑保持硅片表面無雜質(zhì))

2.光刻(用紫外線透過掩膜照射硅片，照射的地方會(huì)很容易被洗掉，未照射的地方保持原樣。因此可以在硅片上雕刻出所需的圖案。注意，此時(shí)沒有添加雜質(zhì)，但仍然是硅片。)

3.離子注入(在硅片的不同位置加入不同的雜質(zhì)，不同的雜質(zhì)根據(jù)不同的濃度/位置形成場效應(yīng)晶體管)

4.干法刻蝕(很多以前光刻刻蝕出來的形狀，其實(shí)是為了離子注入而不是我們需要的而刻蝕出來的?，F(xiàn)在需要用等離子把它們洗掉，或者一些光刻第一步不需要刻蝕的結(jié)構(gòu)。

5.濕法刻蝕(進(jìn)一步洗掉，但是用了試劑，所以叫濕法刻蝕)3354以上步驟完成后，F(xiàn)ET已經(jīng)做好了，但是以上步驟一般不止做一次，很可能需要反復(fù)做才能達(dá)到要求。然后等離子清洗(用弱等離子束轟擊整個(gè)芯片)。

6.熱處理，分為：1?？焖贌嵬嘶?即在瞬間用大功率燈將整個(gè)晶圓照射到1200攝氏度以上，然后慢慢降溫，讓注入的離子更好的啟動(dòng)和熱氧化)。

2.熱處理

3.熱氧化(制作二氧化硅，即FET的柵極)

7.然后是化學(xué)氣相沉積(CVD)，進(jìn)一步細(xì)化表面的各種物質(zhì)和物理氣相沉積(PVD)。同樣的，鍍膜和分子束外延(MBE)也可以應(yīng)用到敏感的部分，如果需要單晶的話就要用到。

8.化學(xué)/機(jī)械表面處理后的電鍍處理

9.晶圓測試

10.晶片拋光和封裝。

芯片技術(shù)到達(dá)了什么水平？

的設(shè)計(jì)水平在世界上大致是二流的。有些產(chǎn)品，比如華為的海思手機(jī)芯片，已經(jīng)達(dá)到國際一流水平。這還不夠容易。已經(jīng)趕上了歐洲和日本的大多數(shù)公司。

先說量產(chǎn)技術(shù)。國內(nèi)量產(chǎn)工廠的技術(shù)水平大致在國際三流水平上。原因是當(dāng)時(shí)人家只賣二流設(shè)備，裝了之后就變成三流了。

再來說說封裝技術(shù)。設(shè)在的包裝廠，大部分都是這個(gè)行業(yè)頂級(jí)外商的直接投資，很難區(qū)分。

國內(nèi)芯片疊加技術(shù)哪家強(qiáng)？

我認(rèn)為芯片覆蓋技術(shù)是SMIC?，F(xiàn)在看來，SMIC似乎是最強(qiáng)的芯片制造商。他們的技術(shù)和投資是最強(qiáng)的，他們的人才也是最強(qiáng)的。再過幾年，在國家和國內(nèi)企業(yè)的支持下，SMIC一定會(huì)通過自己的努力達(dá)到世界一流水平。