內(nèi)存的性能指標(biāo)？1.存儲(chǔ)速度存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)速度用訪問(wèn)一次數(shù)據(jù)的時(shí)間來(lái)表示，單位是納秒。2.存儲(chǔ)容量目前常見(jiàn)的內(nèi)存存儲(chǔ)容量有128 MB、256 MB、512 MB，也有單個(gè)內(nèi)存1024 MB的，但其價(jià)格

內(nèi)存的性能指標(biāo)？

1.存儲(chǔ)速度存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)速度用訪問(wèn)一次數(shù)據(jù)的時(shí)間來(lái)表示，單位是納秒。

2.存儲(chǔ)容量目前常見(jiàn)的內(nèi)存存儲(chǔ)容量有128 MB、256 MB、512 MB，也有單個(gè)內(nèi)存1024 MB的，但其價(jià)格較高，普通用戶(hù)很少使用。

3.CL是CASLstency的縮寫(xiě)，即CAS latency，指的是存儲(chǔ)器垂直地址脈沖的響應(yīng)時(shí)間，是衡量不同規(guī)格的存儲(chǔ)器在一定頻率下的重要標(biāo)志之一。

4.內(nèi)存帶寬，從內(nèi)存的功能來(lái)說(shuō)，內(nèi)存可以看作是北橋芯片中內(nèi)存控制器和CPU之間的橋梁或倉(cāng)庫(kù)。存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量決定了“倉(cāng)庫(kù)”的大小，而存儲(chǔ)器的波段決定了橋梁的寬度，二者缺一不可。

內(nèi)存的性能指標(biāo)？

1.存儲(chǔ)速度存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)速度用訪問(wèn)一次數(shù)據(jù)的時(shí)間來(lái)表示，單位是納秒，記為ns。1秒=10億納秒，即1納秒=10ˇ9秒。Ns值越小，訪問(wèn)時(shí)間越短，訪問(wèn)速度越快。

2.存儲(chǔ)容量就目前市場(chǎng)而言，配置機(jī)器時(shí)應(yīng)該使用8G以上的單個(gè)內(nèi)存。提示：內(nèi)存存儲(chǔ)容量的換算公式為：1GB=1024MB=1024*1024KB。

3.CL CL是CAS Lstency的縮寫(xiě)，即CAS延遲時(shí)間，指的是存儲(chǔ)器垂直地址脈沖的響應(yīng)時(shí)間。在一定頻率下測(cè)量不同的標(biāo)準(zhǔn)記憶是重要標(biāo)志之一。

4.SPD芯片SPD是一個(gè)8引腳256字節(jié)EERROM(電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)芯片。它一般位于存儲(chǔ)器正面的右側(cè)，記錄著速度、容量、電壓和行列地址、帶寬等參數(shù)信息。開(kāi)機(jī)時(shí)，電腦的BIOS會(huì)自動(dòng)讀取SPD中記錄的信息。

內(nèi)存的主要性能指標(biāo)有哪3個(gè)？

存儲(chǔ)器的性能指標(biāo)包括存儲(chǔ)速度、存儲(chǔ)容量、CAS延遲時(shí)間、存儲(chǔ)器帶寬等。在此，我們將一一介紹。

1.存儲(chǔ)速度存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)速度用訪問(wèn)一次數(shù)據(jù)的時(shí)間來(lái)表示，單位為納秒，記為ns，1秒=10億納秒，即1納秒=10ˇ9秒。Ns值越小，訪問(wèn)時(shí)間越短，速度越快。目前DDR內(nèi)存的訪問(wèn)時(shí)間一般為6ns，更快的內(nèi)存多用于顯卡的顯存，如5ns、4ns、3.6ns、3.3ns、2.8ns等。

2、存儲(chǔ)容量目前常見(jiàn)的內(nèi)存存儲(chǔ)容量有128MB、256MB、512MB，當(dāng)然也有單個(gè)1GB的內(nèi)存，但其價(jià)格較高，普通用戶(hù)很少使用。就目前市場(chǎng)而言，配置機(jī)器時(shí)使用單個(gè)256MB以上的內(nèi)存，不要選擇兩個(gè)128MB的方案。提示：內(nèi)存存儲(chǔ)容量的換算公式為，1GB=1024MB=1024*1024KB。

3.CL CL是CASLSITY的縮寫(xiě)，即CASLstency，是指存儲(chǔ)器垂直地址脈沖的響應(yīng)時(shí)間，是衡量存儲(chǔ)器在一定頻率下不同規(guī)格的重要標(biāo)志之一。對(duì)于PC1600和PC2100的存儲(chǔ)器，規(guī)定的CL應(yīng)該是2，即讀取數(shù)據(jù)的延遲時(shí)間是兩個(gè)時(shí)鐘周期。也就是說(shuō)，當(dāng)CL=2R穩(wěn)定工作時(shí)，他必須處于其工作頻率。

4.SPD芯片SPD是8腳256字節(jié)EERROM(電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)芯片，一般位于內(nèi)存條正面右側(cè)，記錄內(nèi)存速度、容量、電壓、行列地址、帶寬等參數(shù)。開(kāi)機(jī)時(shí)，電腦的BIOS會(huì)自動(dòng)讀取SPD中記錄的信息。

5.奇偶校驗(yàn)奇偶校驗(yàn)是在內(nèi)存的每個(gè)字節(jié)中增加一個(gè)額外的位，用于錯(cuò)誤檢測(cè)。當(dāng)CPU返回讀取存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)時(shí)，會(huì)將存儲(chǔ)在前8位的數(shù)據(jù)再次相加，看計(jì)算結(jié)果是否與校驗(yàn)一致。當(dāng)CPU發(fā)現(xiàn)兩者不同時(shí)，會(huì)自動(dòng)處理。

6.內(nèi)存帶寬從內(nèi)存的功能來(lái)說(shuō)，我們可以把內(nèi)存看作是內(nèi)存控制器(一般位于北橋芯片)和CPU之間的橋梁或倉(cāng)庫(kù)。顯然，存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量決定了“倉(cāng)庫(kù)”的大小，而存儲(chǔ)器的波段決定了橋梁的寬度，兩者缺一不可。

提示：內(nèi)存帶寬確定如下：B代表帶寬，F(xiàn)代表內(nèi)存時(shí)鐘頻率，D代表內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的位數(shù)，則帶寬B=F*D/8，如常見(jiàn)的100MHz SDRAM內(nèi)存帶寬=100MHz*64bit/8=800MB/

1，存儲(chǔ)速度，這個(gè)很好理解，越快越好。

2，容量，這個(gè)也很好理解，容量越大越好。

3.工作電壓：由于低壓存儲(chǔ)器低于1.5V的標(biāo)準(zhǔn)電壓以保證穩(wěn)定工作，因此低壓存儲(chǔ)器的生產(chǎn)要求更高的質(zhì)量。出廠時(shí)內(nèi)存電壓越高，內(nèi)存質(zhì)量越差，這也是低壓內(nèi)存的優(yōu)勢(shì)之一。所以記憶棒高低壓的區(qū)別在于低壓記憶棒比高壓記憶棒耗電更少，更環(huán)保。