51單片機(jī)如何存儲(chǔ)數(shù)據(jù)？沒(méi)有 不知道要保存哪種數(shù)據(jù)，斷電保護(hù)還是緩存？如果是為了保存不受掉電保護(hù)的緩存數(shù)據(jù)，可以使用單片機(jī)內(nèi)部的RAM空間，包括20H~7FH的直接尋址區(qū)，不被SFR占用的80H~FF

51單片機(jī)如何存儲(chǔ)數(shù)據(jù)？

如果是為了保存不受掉電保護(hù)的緩存數(shù)據(jù)，可以使用單片機(jī)內(nèi)部的RAM空間，包括20H~7FH的直接尋址區(qū)，不被SFR占用的80H~FFH的間接尋址區(qū)，也可以使用STC單片機(jī)內(nèi)部的擴(kuò)展RAM。

如果是保存掉電保護(hù)的數(shù)據(jù)，可以在單片機(jī)外面掛上flash或者eeprom芯片。目前常用的51單片機(jī)的某些型號(hào)可以配置ROM的頂部空間作為eeprom來(lái)存儲(chǔ)這類掉電保護(hù)的數(shù)據(jù)。

請(qǐng)教單片機(jī)掉電后，如何快速的保存數(shù)據(jù)問(wèn)題？

盡量使用內(nèi)部閃存存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。內(nèi)部flash讀寫(xiě)速度快，可靠性高。

如果使用外部flash或eeprom進(jìn)行存儲(chǔ)，flash通常是一個(gè)spi接口?？紤]到電磁干擾和MCU的響應(yīng)速度，即使使用MCU的硬件SPI模塊進(jìn)行通信，SPI的最大時(shí)鐘也在1MHz左右，發(fā)送一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)大約需要10us。不考慮擦除閃存的時(shí)間，存儲(chǔ)100字節(jié)的數(shù)據(jù)大約需要5ms。如果考慮可靠性，需要閱讀和驗(yàn)證。

Eeprom一般采用IIC接口，類似SPI接口，高速IIC存儲(chǔ)100字節(jié)數(shù)據(jù)至少需要5ms。

FLASH的特點(diǎn)是寫(xiě)數(shù)據(jù)只能從1重寫(xiě)到0，從0重寫(xiě)到1需要擦除整個(gè)頁(yè)面，或者整個(gè)扇區(qū)，或者整個(gè)塊。

以STM32F051為例。一個(gè)頁(yè)面是1kb，一個(gè)塊是64kByte。擦除一頁(yè)大約需要20毫秒。在整個(gè)擦除過(guò)程中，整個(gè)MCU被掛起，即不執(zhí)行任何操作。另一方面，閃存是一種快速寫(xiě)入操作，一個(gè)字節(jié)大約需要1us。

需要掉電檢測(cè)電路，掉電檢測(cè)需要檢測(cè)給MCU供電的LDO或DC-DC的前級(jí)電壓。

比如MCU采用12V-3.3V LDO供電，需要檢測(cè)12V的電壓來(lái)決定是否斷電。

通過(guò)電阻分壓12V的電壓，然后連接到MCU的A/D檢測(cè)口，判斷是否斷電。

MCU供電的LDO或DC-DC的前級(jí)并聯(lián)足夠的電容，保證電容的供電能保證MCU能寫(xiě)數(shù)據(jù)。

電容器的尺寸可通過(guò)以下步驟確定:

評(píng)估斷電時(shí)前一電壓提供的工作電流。一旦單片機(jī)檢測(cè)到掉電，就需要切斷耗電輸出，比如控制繼電器輸出的I/O口。比如20mA。

確認(rèn)LDO的最低輸入電壓，如5.3。

確認(rèn)和判斷電的電壓，例如10V，確定電源故障開(kāi)始和LDO的最低輸入電壓之間的電壓差，例如4.7V

確認(rèn)寫(xiě)入所有數(shù)據(jù)所需的時(shí)間，例如20 ms。

根據(jù)公式計(jì)算所需電容，C=I*T/U=20mA*20mS/4.7V=85uF。可以選擇100uF的電容。

一旦MCU檢測(cè)到掉電，需要切斷耗電輸出，比如控制繼電器輸出的I/O口需要立即斷開(kāi)。

在正常操作中，預(yù)先準(zhǔn)備一個(gè)存儲(chǔ)空間并將其擦除到0xFF中。

檢測(cè)到掉電后，可以直接寫(xiě)入數(shù)據(jù)，無(wú)需擦除FLASH內(nèi)容，可以節(jié)省大量時(shí)間。