網(wǎng)友解答: 直接上圖直觀點。電腦DDR內(nèi)存，參考圖為單面窄條的威剛萬紫千紅DDR4 2400MHz 8GB內(nèi)存條，內(nèi)存PCB板一共使用了8顆內(nèi)存顆粒，每個顆粒容量為1GB。內(nèi)存條顆粒排列

直接上圖直觀點。

電腦DDR內(nèi)存，參考圖為單面窄條的威剛萬紫千紅DDR4 2400MHz 8GB內(nèi)存條，內(nèi)存PCB板一共使用了8顆內(nèi)存顆粒，每個顆粒容量為1GB。

內(nèi)存條顆粒排列是因為內(nèi)存條PCB板面積比較大而且目前還沒必要去微型化，可以省去微型化成本。所以內(nèi)存顆粒在PCB板上可以排列得隨心所欲，你也可以讓內(nèi)存顆粒一會排成人字一會排成一字，只要符合相應標準就行。

像下圖這款鎂光英睿達128G服務器條子，內(nèi)存顆粒排列得真是開心就好。

這款內(nèi)存顆粒采用的是鎂光自家8Gb DRAM IC顆粒，正面數(shù)一數(shù)才16顆1GB IC顆粒，加上反面的16顆總共也才32GB，哪里來的128GB容量？如果DRAM IC顆粒采用了TSV硅穿孔工藝4Hi堆棧技術呢？把這個技術理解為類似SSD的3D堆疊技術（目前量產(chǎn)為96層堆疊）吧，那么32GB*4等于多少？

手機LPDDR內(nèi)存，也是手機的運行內(nèi)存（LPDDR和DDR是不同形態(tài)的RAM標準，LPDDR主要用于移動式電子設備）。因為手機內(nèi)部空間寸土寸金要求集成密度非常高，所以發(fā)展歷程中也出現(xiàn)了類似NANO-SIM卡這類的東西，那么內(nèi)存顆粒的排列自然不能做得和電腦內(nèi)存顆粒那樣為所欲為，甚至手機內(nèi)存芯片還需要支持PoP封裝進一步節(jié)省手機內(nèi)部空間。

手機內(nèi)存顆粒在主板中也就占據(jù)那么一丁點位置。手機單顆內(nèi)存芯片目前達到8GB容量是不可能的，要知道鎂光不久前才推出第二代LPDDR 4X內(nèi)存芯片，單片容量為12Gb（1.5GB），如果要組成6G運行內(nèi)存需要4顆這樣的內(nèi)存芯片堆疊然后封裝成“一整顆”內(nèi)存顆粒。

而像三星的第二代LPDDR 4X內(nèi)存技術，單片容量達到16Gb（2GB），組成8GB內(nèi)存需要4顆堆疊封裝。

總結：因為所處環(huán)境要求，所以電腦內(nèi)存和手機內(nèi)存都在發(fā)展中選擇了最合適的姿勢去迎合行業(yè)需求。另一方面除了空間還有功耗導致的散熱問題原因等，所以電腦內(nèi)存和手機內(nèi)存顆粒一個橫著排一個豎著堆完全沒有毛病。

手機的集成度遠大于電腦，為了有限的空間，集成度高，為了散熱，犧牲速度為代價。

目前一般手機內(nèi)存的速度在500MB/S左右，高的700MB/S，差點的300MB/S的也有，電腦的SSD的速度都比手機內(nèi)存快，更別說高達10GB/S的內(nèi)存，差的不是一丁半點。