有人說(shuō)手機(jī)內(nèi)存8G只要一個(gè)顆粒,但是電腦內(nèi)存條要成排的顆粒,這是怎么回事?你怎么看?
網(wǎng)友解答: 直接上圖直觀點(diǎn)。電腦DDR內(nèi)存,參考圖為單面窄條的威剛?cè)f紫千紅DDR4 2400MHz 8GB內(nèi)存條,內(nèi)存PCB板一共使用了8顆內(nèi)存顆粒,每個(gè)顆粒容量為1GB。內(nèi)存條顆粒排列
直接上圖直觀點(diǎn)。
電腦DDR內(nèi)存,參考圖為單面窄條的威剛?cè)f紫千紅DDR4 2400MHz 8GB內(nèi)存條,內(nèi)存PCB板一共使用了8顆內(nèi)存顆粒,每個(gè)顆粒容量為1GB。
內(nèi)存條顆粒排列是因?yàn)閮?nèi)存條PCB板面積比較大而且目前還沒(méi)必要去微型化,可以省去微型化成本。所以內(nèi)存顆粒在PCB板上可以排列得隨心所欲,你也可以讓內(nèi)存顆粒一會(huì)排成人字一會(huì)排成一字,只要符合相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)就行。
像下圖這款鎂光英睿達(dá)128G服務(wù)器條子,內(nèi)存顆粒排列得真是開(kāi)心就好。
這款內(nèi)存顆粒采用的是鎂光自家8Gb DRAM IC顆粒,正面數(shù)一數(shù)才16顆1GB IC顆粒,加上反面的16顆總共也才32GB,哪里來(lái)的128GB容量?如果DRAM IC顆粒采用了TSV硅穿孔工藝4Hi堆棧技術(shù)呢?把這個(gè)技術(shù)理解為類似SSD的3D堆疊技術(shù)(目前量產(chǎn)為96層堆疊)吧,那么32GB*4等于多少?
手機(jī)LPDDR內(nèi)存,也是手機(jī)的運(yùn)行內(nèi)存(LPDDR和DDR是不同形態(tài)的RAM標(biāo)準(zhǔn),LPDDR主要用于移動(dòng)式電子設(shè)備)。因?yàn)槭謾C(jī)內(nèi)部空間寸土寸金要求集成密度非常高,所以發(fā)展歷程中也出現(xiàn)了類似NANO-SIM卡這類的東西,那么內(nèi)存顆粒的排列自然不能做得和電腦內(nèi)存顆粒那樣為所欲為,甚至手機(jī)內(nèi)存芯片還需要支持PoP封裝進(jìn)一步節(jié)省手機(jī)內(nèi)部空間。
手機(jī)內(nèi)存顆粒在主板中也就占據(jù)那么一丁點(diǎn)位置。手機(jī)單顆內(nèi)存芯片目前達(dá)到8GB容量是不可能的,要知道鎂光不久前才推出第二代LPDDR 4X內(nèi)存芯片,單片容量為12Gb(1.5GB),如果要組成6G運(yùn)行內(nèi)存需要4顆這樣的內(nèi)存芯片堆疊然后封裝成“一整顆”內(nèi)存顆粒。
而像三星的第二代LPDDR 4X內(nèi)存技術(shù),單片容量達(dá)到16Gb(2GB),組成8GB內(nèi)存需要4顆堆疊封裝。
總結(jié):因?yàn)樗幁h(huán)境要求,所以電腦內(nèi)存和手機(jī)內(nèi)存都在發(fā)展中選擇了最合適的姿勢(shì)去迎合行業(yè)需求。另一方面除了空間還有功耗導(dǎo)致的散熱問(wèn)題原因等,所以電腦內(nèi)存和手機(jī)內(nèi)存顆粒一個(gè)橫著排一個(gè)豎著堆完全沒(méi)有毛病。
網(wǎng)友解答:手機(jī)的集成度遠(yuǎn)大于電腦,為了有限的空間,集成度高,為了散熱,犧牲速度為代價(jià)。
目前一般手機(jī)內(nèi)存的速度在500MB/S左右,高的700MB/S,差點(diǎn)的300MB/S的也有,電腦的SSD的速度都比手機(jī)內(nèi)存快,更別說(shuō)高達(dá)10GB/S的內(nèi)存,差的不是一丁半點(diǎn)。