雷達(dá)的ka波段和ku波段區(qū)別？1.Ka頻段頻率更高，同樣口徑的天線波束更窄，天線方向性更好，意味著天線接收到的相鄰衛(wèi)星干擾更少，對離軸功率譜密度的限制也會更小，從而提高系統(tǒng)的性能；2.Ka頻段更多的免

雷達(dá)的ka波段和ku波段區(qū)別？

1.Ka頻段頻率更高，同樣口徑的天線波束更窄，天線方向性更好，意味著天線接收到的相鄰衛(wèi)星干擾更少，對離軸功率譜密度的限制也會更小，從而提高系統(tǒng)的性能；

2.Ka頻段更多的免費軌道時隙可以讓非主流衛(wèi)星運營商有機會進(jìn)入這個市場，嘗試更多的創(chuàng)新；

3.與Ku波段不同，美國為應(yīng)用分配了一個特殊的Ka頻率，使能夠建立自己的衛(wèi)星星座系統(tǒng)。著名的寬帶全球通信衛(wèi)星通信系統(tǒng)(WGS)就是這一政策的產(chǎn)物。

4.Ka波段的局限性不同于Ku波段的局限性。雖然Ka波段在天線尺寸固定的情況下可以獲得更好的指向性和增益，但是被更高的空間損耗所抵消。此外，對于商用Ka波段，離軸

為什么東芝移動硬盤變成“ESD-USB”了？

用win10自帶的usb安裝后，發(fā)現(xiàn)u盤是辯證

主板cmos電路分析哪些方面，CMOS電路ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計作用是什么？

答:cmos電路簡介。

CMOS電路是互補金屬氧化物半導(dǎo)體英文前綴的縮寫。它由絕緣場效應(yīng)晶體管組成。因為只有一個載體，所以是單極晶體管集成電路。其基本結(jié)構(gòu)是一個N溝道MOS晶體管和一個P溝道MOS晶體管，如下圖所示。

CMOS電路基本結(jié)構(gòu)示意圖

cmos電路的工作原理

cmos電路分析的工作原理如下:

由于兩個晶體管的工作電壓極性相反，所以兩個晶體管作為輸入端相連，兩個漏極作為輸出端相連，如圖1(a)所示，所以兩個晶體管只是互為負(fù)載，處于互補的工作狀態(tài)。

當(dāng)輸入低電平(ViVss)時，PMOS管導(dǎo)通，NMOS管關(guān)斷，輸出高電平，如圖1(b)所示。

當(dāng)輸入電平為高電平(ViVDD)時，PMOS管關(guān)閉，NMOS管開啟，輸出為低電平，如圖1(c)所示。

兩根管子它像單刀雙擲開關(guān)一樣交替工作，構(gòu)成逆變器。

主板CMOS電路分析

一、主板CMOS電路分析——主板CMOS電路組成

電路保存CMOS存儲器中的信息，在主板斷電后，由一個紐扣電池供電使CMOS電路正常工作，從而保證CMOS存儲器中的信息不丟失。CMOS電路在接收到外圍專用晶振提供的不間斷電源和時鐘信號后，會一直處于工作狀態(tài)，可以隨時參與喚醒任務(wù)(即啟動)。

電路主要由CMOS隨機存儲器、實時時鐘電路(包括振蕩器、晶體振蕩器、諧振電容等組成。)，跳線，南橋芯片，電池，電源電路。

二、主板CMOS電路分析——CMOS隨機存儲器

CMOS RAM的作用是存儲系統(tǒng)日期、時間、主板內(nèi)存容量、硬盤類型和數(shù)量、顯卡類型、當(dāng)前系統(tǒng)硬件配置和用戶設(shè)置的一些參數(shù)等重要信息。開機時，BIOS初始化系統(tǒng)自檢，將系統(tǒng)自檢檢測到的配置與CMOS RAM中的參數(shù)進(jìn)行比較，正確后才啟動系統(tǒng)。

三、主板CMOS電路分析——實時時鐘電路

1.實時時鐘電路的功能是產(chǎn)生32的正弦波時鐘信號。768kHz，負(fù)責(zé)為CMOS電路和啟動電路提供所需的時鐘信號(CLK)。實時時鐘電路主要包括振蕩器(集成在南橋)、32.768kHz晶振、諧振電容等元件。

ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的CMOS電路分析設(shè)計

ESD電流大部分來自電路外部，所以ESD保護(hù)電路一般設(shè)計在焊盤旁邊，I/O電路內(nèi)部。典型的I/O電路由一個輸出驅(qū)動器和一個輸入接收器組成。ESD是通過焊盤引入芯片的，所以I/O中所有直接連接到焊盤的器件都需要建立一個并聯(lián)的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線，然后從電壓線分配到芯片的各個管腳，以減少ESD的影響。具體到I/O電路，即連接到焊盤的輸出驅(qū)動器和輸入接收器，需要保證在ESD發(fā)生時，與保護(hù)電路并聯(lián)形成低阻通路，旁路ESD電流，保護(hù)電路的電壓能夠被立即有效地箝位。當(dāng)這兩部分正常工作時，電路的正常工作不會受到影響。

常用的ESD保護(hù)器件有電阻、二極管、雙極晶體管、MOS晶體管、可控硅二極管等。由于MOS管與CMOS工藝的良好兼容性，MOS管常被用來構(gòu)成保護(hù)電路。

CMOS工藝的NMOS晶體管有一個橫向寄生的n-p-n(源-p襯底-漏)晶體管，導(dǎo)通時可以吸收大量電流。利用這一現(xiàn)象，可以在小面積上設(shè)計出具有高ESD耐受電壓的保護(hù)電路，其中最典型的器件結(jié)構(gòu)是柵極接地的NMOS(GGNMOS，GateGroundedNMOS).

在正常工作條件下，NMOS橫向晶體管不會導(dǎo)通。當(dāng)ESD發(fā)生時，襯底的漏極和耗盡區(qū)會發(fā)生雪崩，并伴隨著電子-空穴對的產(chǎn)生。產(chǎn)生的空穴的一部分被源吸收，其余的流過襯底。由于襯底電阻Rsub的存在，襯底電壓增加。當(dāng)襯底和源極之間的PN結(jié)正偏置時，電子從源極發(fā)射到襯底中。在源漏間電場的作用下，這些電子被加速，導(dǎo)致電子和空穴的碰撞電離，從而形成更多的電子-空穴對，增加流過n-p-n晶體管的電流，最終造成NMOS晶體管的二次擊穿。此時，擊穿不再可逆，NMOS晶體管被損壞。

為了進(jìn)一步降低ESD期間輸出驅(qū)動器上NMOS兩端的電壓，可以在ESD保護(hù)器件和GGNMOS之間增加一個電阻。這種阻力可以 不影響工作信號，所以它可以 不要太大。繪制布局時通常使用多晶硅(Poly)電阻器。

由于只有一級ESD保護(hù)，當(dāng)ESD電流較高時，電路內(nèi)部的電子管仍可能被擊穿。GGNMOS開始了。由于大的ESD電流，襯底和金屬連接上的電阻可能 不可忽視。在這個時候，GGNMOS可以 t箝位輸入和接收端的柵極電壓，因為正是GGNMOS與輸入和接收端襯底之間的IR壓降使得輸入和接收端的氧化硅層的電壓達(dá)到擊穿電壓。為了避免這種情況，可以在輸入接收器附近添加一個小GGNMOS，用于二級ESD保護(hù)，它可以用來箝位輸入接收器的柵極電壓，如下圖所示。

常見靜電放電的保護(hù)結(jié)構(gòu)和等效電路