W25Q80BV是華邦生產(chǎn)的8M位串行閃存芯片。主要特點(diǎn)是:工作電壓:2.5 ~ 3.6伏功耗:讀寫時(shí)為4mA(有效)，掉電時(shí)為lt1μA。容量:8M位/1M字節(jié)，包括4096頁(yè)(每頁(yè)大小為256字節(jié)

W25Q80BV是華邦生產(chǎn)的8M位串行閃存芯片。主要特點(diǎn)是:

工作電壓:2.5 ~ 3.6伏

功耗:讀寫時(shí)為4mA(有效)，掉電時(shí)為lt1μA。

容量:8M位/1M字節(jié)，包括4096頁(yè)(每頁(yè)大小為256字節(jié))。

接口:標(biāo)準(zhǔn)/雙路/四路SPI，支持高達(dá)104MHz的時(shí)鐘頻率。

支持以4/32/64k字節(jié)為單位的扇區(qū)/塊擦除。

一次最多寫入256字節(jié)。

軟件/硬件寫保護(hù)功能

壽命超過100，000次擦除/編程

數(shù)據(jù)保留時(shí)間超過20年

套餐:SOIC/USON/WSON/PDIP

引腳定義

舊的那個(gè)沒有。;t移動(dòng)，新的可以插入廣域網(wǎng)端口或局域網(wǎng)端口。如果插上局域網(wǎng)端口，必須關(guān)閉新的DHCP功能，否則無法上網(wǎng)。

從P1口接一條線到flash的高位地址，可以分別讀取高位64k和低位64k。

你好，

1.普通的贏了 不做。因?yàn)槠胀ǖ碾娎予F，是平頭的。

2，你得選，針尖比較大的圓頭電烙鐵，來，就好了。

3.首先，慢慢取出原芯片。然后，用電烙鐵有選擇地電鍍芯片，然后焊接到電路上。

FLASH FlashROM的讀寫原理一般是單核的FlashROM，從讀寫上來說可以說是最簡(jiǎn)單的一種。特點(diǎn)是寫作的單位是 "頁(yè)面 "，并且在寫入新數(shù)據(jù)之前不需要擦除原始內(nèi)容。

管腳為:A0 ~ A16:地址輸入(地址線的數(shù)量與FlashROM的容量有關(guān))。

DQ0~DQ7:數(shù)據(jù)輸入/輸出

# ce:芯片使能輸入

# OE:輸出使能輸入(輸出使能)

#WE:寫使能輸入

圖2-1 Vdd:電源

GND:地面