用硅做燃料的優(yōu)點(diǎn)？新型硅燃料電池可以滿足軍事對(duì)電源的需求。[美國(guó)《每日防務(wù)》 2005年7月13日?qǐng)?bào)道] N三氧化硅的優(yōu)缺點(diǎn)？?jī)?yōu)點(diǎn)是體積小，容易保存，缺點(diǎn)是有毒氣體。鍺與硅，做半導(dǎo)體材料，各自的優(yōu)缺點(diǎn)

用硅做燃料的優(yōu)點(diǎn)？

新型硅燃料電池可以滿足軍事對(duì)電源的需求。

[美國(guó)《每日防務(wù)》 2005年7月13日?qǐng)?bào)道] N

三氧化硅的優(yōu)缺點(diǎn)？

優(yōu)點(diǎn)是體積小，容易保存，缺點(diǎn)是有毒氣體。

鍺與硅，做半導(dǎo)體材料，各自的優(yōu)缺點(diǎn)？

讓 先說硅:作為應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料，它的優(yōu)點(diǎn)是多方面的。

1)地球 美國(guó)的硅儲(chǔ)量大，所以原料成本低。

2)經(jīng)過60年的發(fā)展，硅的提純工藝已經(jīng)達(dá)到了人類的最高水平。

3)通過氧化可以獲得Si/SiO _ 2界面，這種界面是理想的。通過后退火工藝可以獲得非常完美的界面。

4)關(guān)于硅的摻雜擴(kuò)散過程，研究非常廣泛，有很多以前的經(jīng)驗(yàn)。

缺點(diǎn):硅本身的電子和空穴遷移速度難以滿足未來更高性能半導(dǎo)體器件的需求。由于氧化硅的介電常數(shù)較低，當(dāng)器件小型化時(shí)，將面臨介質(zhì)材料擊穿的困境，迫切需要尋找替代介質(zhì)材料。硅屬于間接帶隙半導(dǎo)體，發(fā)光效率不高。

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鍺:作為研究最早的半導(dǎo)體材料，它給我們帶來了兩個(gè)諾貝爾獎(jiǎng)，第一個(gè)晶體管和第一個(gè)集成電路。鍺的優(yōu)點(diǎn)是:

1)空穴具有最大的遷移率，并且是硅。四次；電子遷移率是硅的兩倍。

2)帶隙比較小，有利于低壓器件的發(fā)展。

3)施主/受主的激活溫度遠(yuǎn)低于硅，有利于節(jié)省熱預(yù)算。

4)較小的玻爾激子半徑有助于改善其場(chǎng)發(fā)射特性。

5)小的帶隙有助于結(jié)合介質(zhì)材料，降低漏電流。

缺點(diǎn)也很明顯:鍺是一種比較活潑的材料，它與介質(zhì)材料的界面容易發(fā)生氧化還原反應(yīng)，生成GeO，產(chǎn)生更多的缺陷，進(jìn)一步影響材料的性能；鍺因?yàn)閮?chǔ)量少，不適合直接用作襯底，需要通過GeOI(絕緣體上鍺)技術(shù)開發(fā)未來器件。這項(xiàng)技術(shù)存在一些困難，但通過學(xué)習(xí)研究硅材料獲得的經(jīng)驗(yàn)，我相信在不久的將來會(huì)被克服。