磷化鎵的介紹？化合物半導(dǎo)體磷化銦鎵(GaP)具有優(yōu)異的電學(xué)性能。磷化鎵是第二代半導(dǎo)體材料，廣泛應(yīng)用于光通信、集成電路等領(lǐng)域。5G時(shí)代的技術(shù)創(chuàng)新帶來(lái)了第二代半導(dǎo)體材料的蓬勃發(fā)展，如磷化鎵(GaP)、砷化

磷化鎵的介紹？

化合物半導(dǎo)體磷化銦鎵(GaP)具有優(yōu)異的電學(xué)性能。

磷化鎵是第二代半導(dǎo)體材料，廣泛應(yīng)用于光通信、集成電路等領(lǐng)域。

5G時(shí)代的技術(shù)創(chuàng)新帶來(lái)了第二代半導(dǎo)體材料的蓬勃發(fā)展，如磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)。

根據(jù)物理性質(zhì)，半導(dǎo)體材料可分為三代，即以Si、Ge為代表的第一代，以GaP、lnp、GaAs為代表的第二代，以GaN、SiC為代表的第三代。

磷化鎵(GaP)是一種具有閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的III~V族化合物，晶格常數(shù)為5.87×10-10 m，帶隙為1.34 eV，室溫下遷移率為3000 ~ 4500 cm2/(V·s)。

GaP晶體具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高的優(yōu)點(diǎn)。

它廣泛應(yīng)用于光通信、高頻毫米波器件、光電集成電路和外層空間用太陽(yáng)能電池。

硅摻入硼是什么半導(dǎo)體？

摻硼硅形成P型半導(dǎo)體

p型半導(dǎo)體是通過(guò)向半導(dǎo)體中摻雜受主雜質(zhì)而獲得的。由P型半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體單體組成的產(chǎn)品包括熱敏電阻、壓敏電阻和其他電阻。由P型和N型半導(dǎo)體組成的單結(jié)半導(dǎo)體元件，最常見(jiàn)的是二極管；另外，F(xiàn)

碳化硅晶體結(jié)構(gòu)？

作為C和si唯一穩(wěn)定的化合物，SiC的晶格結(jié)構(gòu)由兩個(gè)密集排列的亞晶格組成，每個(gè)Si(或C)原子通過(guò)定向的強(qiáng)四面體SP3鍵與周圍的C(si)原子結(jié)合。SiC的四面體鍵雖然很強(qiáng)，但是層錯(cuò)形成能很低，這就決定了SiC的多型現(xiàn)象。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)SiC具有超過(guò)250種多型體，并且每個(gè)多型體具有C/Si雙原子層。

最常見(jiàn)的多型體是立方3C碳化硅和六方4H，6H碳化硅。不同的多型體具有不同的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)。

led外延材料的基本要求？

結(jié)構(gòu)特性好，外延材料和襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相似，晶格常數(shù)失配小，結(jié)晶性能好，缺陷密度低。

2、界面特性好，有利于外延材料成核，附著力強(qiáng)。

3、化學(xué)穩(wěn)定性好，在外延生長(zhǎng)的溫度和氣氛中不易分解和腐蝕。

4.良好的熱性能，包括良好的導(dǎo)熱性和較小的熱失配。

5、導(dǎo)電性好，可制成上下結(jié)構(gòu)。

6、光學(xué)性能好，制作的器件發(fā)出的光被襯底吸收少。

7.良好的機(jī)械性能和器件的易加工性，包括減薄、拋光和切割。

8、價(jià)格低

9、大尺寸，一般要求直徑不小于2英寸。

選擇襯底同時(shí)滿足以上九個(gè)方面是非常困難的。因此，目前只能通過(guò)改變外延生長(zhǎng)技術(shù)和器件加工。工藝調(diào)整以適應(yīng)不同襯底上半導(dǎo)體發(fā)光器件的開發(fā)和生產(chǎn)。氮化鎵研究的襯底材料很多，但目前能用于生產(chǎn)的襯底只有三種，分別是藍(lán)寶石Al2O3、碳化硅SiC襯底和Si襯底。