MOS效應？MOS場效應管有起到型（EnhancementMOS或EMOS）和耗空型(MOS或DMOS）兩大類，每一類有N溝道和P溝道兩種導電類型。場效應管有三個電極：D(Drain)稱做漏極，也是非

MOS效應？

MOS場效應管有起到型（EnhancementMOS或EMOS）和耗空型(MOS或DMOS）兩大類，每一類有N溝道和P溝道兩種導電類型。場效應管有三個電極：D(Drain)稱做漏極，也是非常雙極型三極管的集電極；G(Gate)稱為柵極，相當于雙極型三極管的基極；S(Source)稱作源極，超過雙極型三極管的發(fā)射極。

mos管是什么原理，起什么作用的？

MOS管的原理：

它是憑借VGS來控制“感應電荷”的多少，以變動由這些“感應電荷”連成的導電溝道的狀況，然后把至少再控制漏極電流的目的。在制造管子時，按照工藝使絕緣層中再次出現(xiàn)大量正離子，故在交接處面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區(qū)接通后，無法形成了導電溝道，就算是在VGS0時也有減小的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也變化，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而轉變。

作用：

1、可應用到于放大電路。的原因MOS管放大器的輸入阻抗很高，所以耦合電容可以容量較小，沒有必要可以使用電解電容器。

2、很高的輸入阻抗的很更適合作阻抗變換。常作用于28級放大器的輸入輸入級作阻抗跳躍。

3、可以除用可變電阻。

4、可以方便些地使用較多恒流源。

5、可以除用電子開關。

簡介：

mos管，即在集成電路中絕緣性場效應管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管。也可以稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是這個可以加減的，是在P型backgate中連成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是完全不一樣的，就算是連接導線連起來也絕對不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱中心的。

結構特點：

MOS管的內部結構如下圖所示其導通時只能一種極性的載流子(多子)聯(lián)合導電，是三極四線型晶體管。導電機理與小功率MOS管是一樣的，但結構上有減小區(qū)別，小功率MOS管是縱向導電器件，功率MOSFET大多常規(guī)互相垂直導電結構，又稱做VMOSFET，大嚇增強了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。

n溝道m(xù)os管

p溝道m(xù)os管

其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此本身很高的然后輸入電阻，該管導通時在兩個高濃度n擴散了區(qū)間自然形成n型導電溝道。n溝道提高型MOS管需要在柵極上壓力奔來偏壓，且唯有柵源電壓大于1閾值電壓時才有導電溝道才能產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗干型MOS管是指在不加柵壓(柵源電壓為零)時，就有導電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。