c語言中形參的缺省存儲類型是？形參或者說所有的變量，缺省的存儲類別都是auto的。c語言中四種存儲類別autostatic動態(tài)MOS存儲器為什么要刷新？常用的刷新方式有哪幾種？動態(tài)MOS存儲單元存儲信

c語言中形參的缺省存儲類型是？

形參

或者說所有的變量，缺省的存儲類別都是auto的。

c語言中四種存儲類別

auto

static

動態(tài)MOS存儲器為什么要刷新？常用的刷新方式有哪幾種？

動態(tài)MOS存儲單元存儲信息的原理，是利用MOS管柵極電容具有暫時存儲信息的作用。

但由于漏電流的存在，柵極電容上存儲的電荷不可能長久保持不變，因此為了及時補充漏掉的電荷，避免存儲信息丟失，需要定時地給柵極電容補充電荷，通常把這種操作稱作刷新或再生。常用的刷新有三種，一種是集中式，另一種是分散式，第三種是異步式。集中式刷新：在整個刷新間隔內(nèi)，前一段時間重復進行讀/寫周期或維持周期，等到需要進行刷新操作時，便暫停讀/寫或維持周期，而逐行刷新整個存儲器，它適用于高速存儲器。分散式刷新：把一個存儲系統(tǒng)周期t c 分為兩半，周期前半段時間t m 用來讀/寫操作或維持信息，周期后半段時間t r 作為刷新操作時間。這樣，每經(jīng)過128個系統(tǒng)周期時間，整個存儲器便全部刷新一遍。異步式刷新：前兩種的結(jié)合。同學們可以自己畫畫它的刷新周期圖。

計算機里帶區(qū)卷是什么呢？

帶區(qū)卷是一種動態(tài)卷，必須創(chuàng)建在動態(tài)磁盤上?！　^(qū)卷是通過將 2 個或更多磁盤上的可用空間區(qū)域合并到一個邏輯卷而創(chuàng)建的。帶區(qū)卷使用 RAID-0，從而可以在多個磁盤上分布數(shù)據(jù)。帶區(qū)卷不能被擴展或鏡像，并且不提供容錯。如果包含帶區(qū)卷的其中一個磁盤出現(xiàn)故障，則整個卷無法工作。當創(chuàng)建帶區(qū)卷時，最好使用相同大小、型號和制造商的磁盤?！　±脦^(qū)卷，可以將數(shù)據(jù)分塊并按一定的順序在陣列中的所有磁盤上分布數(shù)據(jù)，與跨區(qū)卷類似。帶區(qū)可以同時對所有磁盤進行寫數(shù)據(jù)操作，從而可以相同的速率向所有磁盤寫數(shù)據(jù)，在理論上，帶區(qū)卷的讀寫速度是帶區(qū)卷所跨越的所有n個硬盤中最慢的一個的n倍?！　”M管不具備容錯能力，但帶區(qū)卷在所有 Windows 磁盤管理策略中的性能最好，同時它通過在多個磁盤上分配 I/O 請求從而提高了 I/O 性能。例如，帶區(qū)卷在以下情況下提高了性能：　　·從（向）大的數(shù)據(jù)庫中讀（寫）數(shù)據(jù)。 　　·以極高的傳輸速率從外部源收集數(shù)據(jù)。 　　·裝載程序映像、動態(tài)鏈接庫 (DLL) 或運行時庫。 　　MS-DOS、Windows 95、Windows 98、Windows Millennium Edition、Windows NT 4.0、Windows XP Home Edition 和其他缺乏動態(tài)存儲功能的操作系統(tǒng)無法識別通過 Windows 2000、Windows XP Professional 或 Windows Server 2003 家族操作系統(tǒng)創(chuàng)建的任何帶區(qū)卷。因此，如果創(chuàng)建雙啟動模式計算機上的帶區(qū)卷，則其他操作系統(tǒng)將無法使用該卷。　　創(chuàng)建帶區(qū)卷的方法： 　　

1． 右鍵單擊“我的電腦”并選擇“管理”，打開計算機管理控制臺。在計算機管理中，單擊“磁盤管理”。 　　

2． 在“磁盤管理”中，右鍵單擊未分配的空間，并選擇“創(chuàng)建卷”。 　　

3． 創(chuàng)建卷向?qū)С霈F(xiàn)，單擊“下一步”，選擇“帶區(qū)卷”并單擊“下一步”。 　　

4． 選擇想使用的磁盤和輸入想在每塊磁盤中分配給該卷的空間，并單擊“下一步”。然后根據(jù)屏幕指示完成向?qū)А?