集成設(shè)備介紹？(1)集成電路預(yù)處理設(shè)備按其工藝特性主要包括以下類型。外延爐:用于外延材料生長(zhǎng)。氧化擴(kuò)散設(shè)備:用于制備氧化層，實(shí)現(xiàn)摻雜。制膜設(shè)備:主要有電子束蒸發(fā)臺(tái)、磁控濺射臺(tái)和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積

集成設(shè)備介紹？

(1)集成電路預(yù)處理設(shè)備按其工藝特性主要包括以下類型。

外延爐:用于外延材料生長(zhǎng)。

氧化擴(kuò)散設(shè)備:用于制備氧化層，實(shí)現(xiàn)摻雜。

制膜設(shè)備:主要有電子束蒸發(fā)臺(tái)、磁控濺射臺(tái)和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備。

離子注入機(jī):用于高精度摻雜，根據(jù)注入能量、束流大小、硅片大小有多種規(guī)格。

腐蝕和刻蝕設(shè)備:AD7890BN-4的主要設(shè)備是化學(xué)濕法刻蝕和等離子體化學(xué)干法刻蝕，干法刻蝕具有良好的選擇性和方向性。

光刻設(shè)備:旋涂機(jī)、曝光機(jī)、顯影設(shè)備、硬膜烘烤機(jī)等設(shè)備。

純水制備設(shè)備:用于為工藝生產(chǎn)提供不含雜質(zhì)和細(xì)菌的純水。

環(huán)境控制設(shè)備:包括水、風(fēng)、電、氣、冷、濕、暖，主要為集成電路生產(chǎn)提供潔凈的環(huán)境、必要的動(dòng)力和恒溫恒濕。

在線測(cè)試儀器:主要用于測(cè)試和測(cè)量集成電路制造過(guò)程中的各種工藝參數(shù)，主要包括膜厚測(cè)量?jī)x、結(jié)深測(cè)量?jī)x、C-V特性測(cè)量?jī)x、C-T特性測(cè)量?jī)x、薄膜應(yīng)力測(cè)量?jī)x、表面缺陷檢查儀、激光橢偏儀、線寬測(cè)量?jī)x、電子顯微鏡、原子力顯微鏡等。，以及一些常規(guī)儀器如光學(xué)顯微鏡、各種放大倍數(shù)的晶體管特性圖等。

(2)后處理的主要設(shè)備如下。

分割器:主要用于分割固定硅片上的集成電路。邦定機(jī):包括超聲波和金球焊接設(shè)備，實(shí)現(xiàn)管芯內(nèi)引線端和外包裝外引線的電連接。

封裝設(shè)備:根據(jù)工藝不同，有儲(chǔ)能實(shí)物機(jī)、并聯(lián)封口機(jī)、玻璃封口機(jī)、塑料封口機(jī)、激光電子束封口機(jī)。

老化篩選設(shè)備:高/低溫箱、靜態(tài)/動(dòng)態(tài)老化臺(tái)、各種檢測(cè)儀器、儀表、離心、振動(dòng)等設(shè)備。

4148二極管電壓怎么測(cè)量？

使用JT-1等晶體管特性繪圖儀進(jìn)行測(cè)量，如果是測(cè)量正向壓降，可以將IN4148的正極接到C電極接口，負(fù)極接到

Iceo是什么電流？

Iceo是穿透電流。穿透電流是指在特定電壓下，基極B與集電極C和發(fā)射極E之間的漏電流。也就是設(shè)備手冊(cè)中的Iceo。鍺晶體管的電流如此之小，以至于它可以。;不能用萬(wàn)用表測(cè)量。嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，需要使用專門的儀器或者晶體管特性圖，在規(guī)定的條件下測(cè)量數(shù)據(jù)。

ICEO受溫度影響很大。當(dāng)溫度升高時(shí)，ICEO迅速增加，所以IC相應(yīng)增加。三極管的溫度特性差。理想情況下，穿透電流為零。