在FLASH中怎樣建立兩個場景？從“窗口”菜單拿定主意，“場景”面板在“窗口”—“其他面板”菜單下。你每次首先按住“直接添加場景”，我們就為FLASH添加了一個新場景，我們是可以從上方的場景列表內(nèi)看見

在FLASH中怎樣建立兩個場景？

從“窗口”菜單拿定主意，“場景”面板在“窗口”—“其他面板”菜單下。你每次首先按住“直接添加場景”，我們就為FLASH添加了一個新場景，我們是可以從上方的場景列表內(nèi)看見了場景的名稱，通過拖拽“場景”，我們還可以不根據(jù)情況“場景”前后的順序。

flash和norflash區(qū)別？

1、存儲架構相同

NOR Flash整體架構需要提供足夠的地址線來映射整個存儲器范圍。這能提供了隨機訪問和短讀取文件時間的優(yōu)勢，這使其成為代碼執(zhí)行的我們的理想選擇。那個優(yōu)點是100％試求的零件壽命。缺點除了減小的單元尺寸造成每比特的較高成本和較慢的寫入到和刪除區(qū)域速度。

與NOR閃存而言，NAND閃存更具更小的單元尺寸和更高的讀取和擦除速度。缺點和較慢的讀取速度和I/O映射類型或主動接口，這更急切并且不允許洗技能訪問。值得注意的是，NAND Flash中的代碼執(zhí)行是按照將內(nèi)容映射到RAM來實現(xiàn)方法的，這與真接從NOR Flash不能執(zhí)行代碼完全不同。

2、存儲容量差別

與NOR閃存比起，NAND閃存的密度要高得多，要注意是而且其每比特成本較低。NAND閃存通常本身1Gb至16Gb的容量。NOR閃存的密度范圍從64Mb到2Gb。導致NAND Flash具備更高的密度，而通常應用于數(shù)據(jù)存儲應用。

3、橡皮檫/讀寫相同

NAND閃存中的擦除操作非常簡單點，而在NOR閃存中，每個字節(jié)在擦除數(shù)據(jù)之前都不需要寫入到“0”。這以至于NOR閃存的刪除區(qū)域操作比NAND閃存慢得多。的或，NAND閃存S34ML04G2必須3.5ms才能擦除128KB塊，而NOR閃存S70GL02GT則是需要約520bs來橡皮檫相似的128KB扇區(qū)。

4、能耗相同

NOR閃存在初始上電期間大多必須比NAND閃存更多的電流。只不過，NOR Flash的待機電流遠少于NAND Flash。兩個閃存的瞬時有功功率也是非常。因此，有效功率由存儲器活動的減弱時間判斷。

整體來看，NOR Flash在隨機讀取方面具備優(yōu)勢，而NAND Flash在擦除數(shù)據(jù)，寫入文件和讀取速度操作中消耗的功率要比比較低。

NOR的特點是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP,eXecuteacrossPlace），這樣的應用程序可以不直接在flash閃存內(nèi)正常運行，無須再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具備很高的成本效益，可是比較低的寫入文件和擦除數(shù)據(jù)速度大大會影響了它的性能。

NAND結構能提供給極高的單元密度，是可以都沒有達到高存儲密度，而且寫入和刪除區(qū)域的速度也馬上。應用NAND的困難只在于flash的管理是需要特殊能量的系統(tǒng)接口。