芯片結(jié)溫計(jì)算公式 pn8370芯片引腳功能?
PN8370產(chǎn)品描述:PN8370集成了超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振初級(jí)控制器和具有高雪崩能力的650V智能功率MOSFET,用于充電器、適配器和內(nèi)置電源,具有高性能和簡(jiǎn)化的外圍元件。PN8370處于主反饋模式
PN8370產(chǎn)品描述:
PN8370集成了超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振初級(jí)控制器和具有高雪崩能力的650V智能功率MOSFET,用于充電器、適配器和內(nèi)置電源,具有高性能和簡(jiǎn)化的外圍元件。PN8370處于主反饋模式,可以省略光耦合器和TL431。內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路,可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗(230VAC)。
小于30mW。恒壓模式下,采用準(zhǔn)諧振和多模技術(shù)提高效率,消除音頻噪聲,使系統(tǒng)達(dá)到6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn),可調(diào)輸出線補(bǔ)償功能可使系統(tǒng)獲得更好的負(fù)載調(diào)整率;在恒流模式下,可以通過(guò)CS引腳的RCS電阻來(lái)調(diào)整輸出電流和功率。該芯片提供非常全面的智能保護(hù)功能,包括逐周過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、開(kāi)環(huán)保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS開(kāi)路/短路保護(hù)。
PN8370產(chǎn)品特性:
內(nèi)置智能功率MOSFET,具有650V高雪崩能力
內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路,空載損耗小于30mW(230 vac)。
采用準(zhǔn)諧振和多模技術(shù),提高效率,滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)。
全電壓輸入范圍的CC/CV精度為±5%
初級(jí)反饋可以節(jié)省光耦合器和TL431
恒壓、恒流和輸出線路補(bǔ)償可從外部調(diào)節(jié)。
不需要額外的補(bǔ)償電容。
沒(méi)有音頻噪音
智能保護(hù)功能
過(guò)溫保護(hù)(OTP)
VDD欠壓和過(guò)壓保護(hù)(UVLOOVP)
逐周過(guò)流保護(hù)(OCP)
CS開(kāi)路/短路保護(hù)(CS O/SP)
開(kāi)環(huán)保護(hù)(OLP)
PN8370的典型應(yīng)用圖:
PN8370引腳定義。
SOP-7引腳標(biāo)簽DIP-8引腳標(biāo)簽引腳名稱引腳功能描述11VDD工作電壓輸入引腳22NC空引腳33FB反饋引腳,輔助繞組電壓穩(wěn)定輸出44CS電流檢測(cè)引腳5,65,6SW智能功率
PN8370限制工作范圍
VDD引腳的電壓電阻.............................................................................0.3 ~ 27V。
SW腳耐受電壓
FBCS腳耐受電壓-0.3 ~ 5.5v
結(jié)溫工作范圍-40 ~ 150℃
儲(chǔ)存溫度范圍-55 ~ 150℃
封裝熱阻(SOP-7)....................80攝氏度/瓦特
封裝熱阻(DIP-8)..................................................................................................................................................................
引腳焊接溫度(10秒)..................260℃
薩爾瓦多d .能力(HBM)
最大漏極脈沖電流為3.0A。
DC電源電壓(V和V端子)36V最大存儲(chǔ)溫度范圍-65℃至150℃
差模輸入電壓8最大結(jié)溫(塑料封裝)150℃
直流輸入電壓(8V)至(V-
1引腳失調(diào)零失調(diào)(命令結(jié)束)
2引腳反相輸入端子
3引腳非INV輸入同相輸入端子
4針V型電源-
5引腳失調(diào)零失調(diào)(命令結(jié)束)
6引腳輸出輸出
7引腳V電源
8針頻閃終端
CA3140E的極限參數(shù):
DC電源電壓(V和V端子)
36V
最大儲(chǔ)存溫度范圍
-65℃至150℃
差模輸入電壓
八
最高結(jié)溫(塑料封裝)
150℃
DC輸入電壓
(8V至0.5V)
最高結(jié)溫(金屬罐封裝)
175℃
輸入電流
1mA
溫度范圍
-55℃至125℃
輸出短路持續(xù)時(shí)間
無(wú)限期持續(xù)