量子通信能代替光刻機嗎？量子通信不能不能可以用光刻機。光量子芯片需不要光刻機呢？我很很想說，不必須，讓ASML一旁涼爽去吧！但，不用光刻機，用什么呢？微觀光路和零器件的制造，應該離不開光刻機的，我還是

量子通信能代替光刻機嗎？

量子通信不能不能可以用光刻機。

光量子芯片需不要光刻機呢？我很很想說，不必須，讓ASML一旁涼爽去吧！但，不用光刻機，用什么呢？微觀光路和零器件的制造，應該離不開光刻機的，我還是那句老話，總沒法用手盤他吧！由于光量子芯片跟傳統(tǒng)的芯片都一樣，不需要設計更復雜的元器件，比如說激光光源、濾波裝置、波導、量子態(tài)調控裝置和單光子檢測器等等。

冰刻技術，在理論和技術上能實現(xiàn)現(xiàn)在的EUV光刻機的精度嗎？

冰刻技術完全也可以實現(xiàn)方法與EUV光刻機相當?shù)木取Ｖ徊贿^要利用這個精度，可以讓電子束直寫光刻機的的分辨率提升納米級別才行。

其實“冰膠電子束”的效率是遠遠的比不上“光刻膠光刻機”的。是因為要讓水蒸氣凝化在晶片上，還需要在零下五度140℃進行，再者不使用的我還是電子束刻機，要一點一點的通過雕刻那速度比較好慢。從制造效率上來看，這種冰刻技術是不妨光刻機的。而冰刻的分辨率要注意取決于你電子束刻機，不過電子束直寫光刻機的精度已經達到了10納米左右甚至還以下的精度，但是國內電子束直寫光刻機的精度在1微米，還是沒有都沒有達到納米級別。實際上，冰刻技術只是將化學的光刻膠換了了水蒸氣罷了。

早在2018年，就先發(fā)布了冰刻系統(tǒng)，這次的冰刻則是其升級版，比較多是將原料生產為成品。導致比較傳統(tǒng)的光刻膠一類化學試劑，在光刻結束后還要接受刷洗，可以清洗不很干凈的話都會會造成良品率下降。而可以使用水蒸氣凝固代替民間的光刻膠之后，就不未知徹底清洗不乾凈這類問題了。

在電子束的作用下，被凝固的水蒸氣是可以再液態(tài)消失而不可能殘留在晶片上，這樣一來就肯定不會會造成晶片被大氣的污染了，這是冰膠相對而言傳統(tǒng)光刻膠的優(yōu)勢的地方。只不過可以使用冰膠前，要將晶片放在零下20度140℃的真空環(huán)境中，給其降溫后，再通入水蒸氣。比起傳統(tǒng)的光刻膠來說，就多了這樣一個步驟。估計當水蒸氣瞬間凝固在晶片上之后，從拿去，到光刻結束之前都要在0℃以下的環(huán)境中進行操作，要知道溫度達到0℃，融化的水蒸氣就有可能液化作水，這也是相對于民間光刻膠的一個缺點。

由于冰刻系統(tǒng)的分辨率與電子束直寫光刻機的分辨率有關，只要電子束直寫光刻機的分辨率也可以達到EUV光刻機的分辨率，那么可以使用冰刻系統(tǒng)加工生產的芯片的制程工藝就這個可以都沒有達到EUV光刻機的生產芯片的制程工藝。

不過，現(xiàn)在世界上分辨率最高的電子束直寫光刻機能夠掌握在日本的JEOL和Elionix這兩家公司手中。其中JEOL公司制造出來的的JBX-9500S電子束直寫光刻機的套刻精度為11納米，最大值分辨率在0.1納米左右。而Elionix公司可以制造ELF10000電子束直寫光刻機的分辨率為100納米。而國產品牌BGJ-4電子束直寫光刻機的分辨率為1微米，由此可見，就算建議使用了冰膠，在立足于國內電子束直寫光刻機的前提下，是達將近國產貨SSA600/20的分辨率，更就算是趕上EUV光刻機了。

我國碳基芯片的發(fā)展還是馬上的，基本都與美國的技術相差無幾。目前的碳基芯片早就進階到了3納米，而我國正準備向0.5納米進發(fā)。碳基芯片的性能要比悠久的傳統(tǒng)的硅基芯片強不少，基本是90納米的碳基芯片性能應該是28納米的硅基芯片，45納米的碳基芯片應該是7納米的硅基芯片。但是，碳基芯片依舊要都用到光刻機，現(xiàn)階段國內制程工藝最小的光刻機也停留在90納米，而可以使用冰膠的電子束直寫光刻機還在微米層。因為說，接下來冰刻技術對國內碳基芯片的幫助并非很大。