n型溝道m(xù)os管導(dǎo)通條件？n溝道m(xù)os晶體管的導(dǎo)通條件開(kāi)啟時(shí)序可分為to ~ t1、t1~t2、t2~t3、t3~t4四個(gè)時(shí)間段，有不同的等效電路。1) t0-t1: cgs1開(kāi)始充電，柵極電壓尚未達(dá)

n型溝道m(xù)os管導(dǎo)通條件？

n溝道m(xù)os晶體管的導(dǎo)通條件

開(kāi)啟時(shí)序可分為to ~ t1、t1~t2、t2~t3、t3~t4四個(gè)時(shí)間段，有不同的等效電路。

1) t0-t1: cgs1開(kāi)始充電，柵極電壓尚未達(dá)到VGS(th)，導(dǎo)電溝道尚未形成，MOSFET仍處于截止?fàn)顟B(tài)。

2)在區(qū)間[t1-t2]內(nèi)，GS之間的電壓達(dá)到Vgs(th)，DS之間的導(dǎo)電通道開(kāi)始形成，MOSFET導(dǎo)通，DS的電流增加到ID，Cgs2快速充電，Vgs從Vgs(th)到VA呈指數(shù)增加..

3)在[T2-T3]期間，MOSFET的DS電壓下降到與Vgs相同，產(chǎn)生密勒效應(yīng)，Cgd電容大大增加，柵極電流繼續(xù)流動(dòng)。由于Cgd電容的急劇增加，柵極電壓對(duì)Cgs的充電被抑制，這使得Vgs幾乎水平，Cgd電容上的電壓增加，而DS電容上的電壓繼續(xù)降低。

4)【t3-t4】區(qū)間，直到T3，MOSFET的DS電壓下降到飽和導(dǎo)通時(shí)的電壓，密勒效應(yīng)的影響變小，Cgd電容變小，與Cgs電容一起被外部驅(qū)動(dòng)電壓充電，Cgs電容電壓上升直到T4。此時(shí)Cgs電容的電壓已經(jīng)達(dá)到穩(wěn)態(tài)，DS之間的電壓達(dá)到最小值，MOSF

mos管實(shí)際使用電流？

MOS管MOS耐壓/MOS內(nèi)阻的最大持續(xù)電流。

額定電流應(yīng)該是負(fù)載在所有條件下所能承受的最大電流。與電壓情況類似，即使系統(tǒng)產(chǎn)生峰值電流，也要確保所選MOS晶體管能夠承受這個(gè)額定電流?？紤]的兩種電流條件是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOS晶體管處于穩(wěn)定狀態(tài)，此時(shí)電流繼續(xù)流經(jīng)器件。

mos完全導(dǎo)通電壓？

大約在0.306伏和0.23伏之間

一般mos管的飽和電壓是10v，有的是3-5v。同一個(gè)mos管通過(guò)不同的電流，其柵極電壓是不同的。mos管的極間電容比較大。為了使mos管開(kāi)關(guān)速度快，降低功耗，需要對(duì)柵極進(jìn)行快速充放電，驅(qū)動(dòng)電路就是為此而使用的。雙極晶體管的極間電容不大，不需要類似的驅(qū)動(dòng)電路。

MOS管的參數(shù)并不直接給出管壓降，而是給出導(dǎo)通電阻Rds(on)。SI2301在Dd3.6A時(shí)的導(dǎo)通電阻為85mΩ，在Id2A時(shí)的導(dǎo)通電阻為115mΩ，因此可以計(jì)算出其在3.6A和2A時(shí)的管壓降分別為0.306V和0.23V。