硅和鍺的反向擊穿電壓？硅管反向移動飽和現象電流遠高于鍺管的方向相反飽和電流（只能后者的百分之一左右），但是好象硅管的方向相反擊穿電壓也低于鍺管。整流二極管和用半導體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的擊穿

硅和鍺的反向擊穿電壓？

硅管反向移動飽和現象電流遠高于鍺管的方向相反飽和電流（只能后者的百分之一左右），但是好象硅管的方向相反擊穿電壓也低于鍺管。整流二極管和用半導體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的擊穿電壓高,反向移動漏電流小,高溫性能良好的訓練。常見高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制造。

鍺管比硅管的特性受溫度的影響??？

鍺的外層電子比硅外層電子重新活躍,對溫度敏感所以我鍺管受溫度影響明顯，是由材料的性質做出決定的.還有,鍺二極管的正向電壓降低約0.2v,硅二極管的正向負載約0.7v

怎樣用萬用表判別硅管和鍺管？

在用萬用表的電阻檔(R×100Ω或R×tkΩ檔)，分別測量二極管的正反向電阻，正向電阻和方向相反電阻都很大的是硅二極管，朝電阻和反向移動電阻都一般較小的是鍺二極管。

反相電流怎么產生的？

在由半導體排成的晶體二極管三極管中才有反向電流的概念。

所以才方向相反電流是由少數載流子在內電場作用下所做的漂移運動而連成的

產生原因一是有儲能元件,電容或電感.

二是因此電磁感應出現了反電動勢

這是反相電流怎末才能產生的的原因

二極管導通是有壓降的吧只是很小才視為短路，斷開電壓都加在二極管上了為什么負載沒有電壓？

非常高興回答你的問題

二極管可分硅晶體二極管和鍺晶體二極管。我們就以可以使用最應用廣泛的硅晶體二極管為例來那說明在反向電壓下，為么更視關斷。

當我們在二極管平行放置算上運動方向電壓時，會產生最少1~幾十5ma的很小的方向相反飽和電流，且基本上達到變?yōu)?，不受反向移動電壓的影響。這么多小的逆方向電流在其負載上出現的電壓降微乎甚微，簡直測量不進去，所以我我們其實負載上沒有電壓，也就是我們說的二極管正處于關斷狀態(tài)。不過，反向電壓值不能遠遠超過二極管的大方向相反電壓，不然城就會刺透。當然了，穩(wěn)壓二極管除外。

要是我的回答都能夠回答一你的問題，將是我很高興的事！

二極管朝導通電壓：

硅管0.7V±，

鍺管0.17V±，

肖特基管0.35V±。

只要你有向這邊電流就有導通電壓。

門限電壓是死區(qū)電壓嗎？

是死區(qū)電壓。所謂死區(qū)電壓：由于PN結內部有自建電場，電子和電子空穴的漂移作用，其內部本身就更具當然的電能，也就是說它的內部本身帶有電荷，利用它的單方向導電性，其實應該是給PN結再加外部電壓，破壞了它內部自建電場的平衡。

在向這邊電壓很小時，實際二極管的電流很小，僅有方向向電壓提升到某一數值Ur后，電流才的確增長。大多數把電壓Ur被稱二極管的門限電壓，也一般稱死區(qū)電壓或閾值電壓。導致硅二極管的Is遠小于鍺二極管的Is，因此硅二極管的門限電壓大于鍺二極管的門限電壓。