同理，箭頭從柵極指向另一個(gè)，低電平關(guān)，高電平關(guān)，就是低電平導(dǎo)通。說白了，箭頭反方向的電流就是導(dǎo)通是P溝道還是N溝道，取決于電路圖中箭頭指向哪里:如果箭頭指向柵極，就給柵極一個(gè)高電平，另外兩個(gè)極根據(jù)溝道

同理，箭頭從柵極指向另一個(gè)，低電平關(guān)，高電平關(guān)，就是低電平導(dǎo)通。說白了，箭頭反方向的電流就是導(dǎo)通是P溝道還是N溝道，取決于電路圖中箭頭指向哪里:如果箭頭指向柵極，就給柵極一個(gè)高電平，另外兩個(gè)極根據(jù)溝道的不同(P溝道的源極S接輸入，漏極D接輸出，N溝道相反)。

簡單來說，MOS管是可控半導(dǎo)體，二極管是不可控單向?qū)ò雽?dǎo)體。

MOS晶體管的原理在任何半導(dǎo)體物理書上都可以找到。我簡單解釋一下原理:以N溝道MOS為例。當(dāng)柵極G的輸入電壓超過導(dǎo)通閾值時(shí)，ds的兩級之間開始導(dǎo)通，導(dǎo)通電流受柵極電壓控制，呈線性變化。當(dāng)柵壓進(jìn)一步上升，超過線性區(qū)時(shí)，我們稱之為完全導(dǎo)通或關(guān)斷，MOS晶體管的電流不再隨柵壓線性變化，而是受其導(dǎo)通電阻的限制。

二極管只有一個(gè)PN結(jié)，只能單向?qū)?，起整流作?交流電轉(zhuǎn)直流電)。

MOS可以實(shí)現(xiàn)整流(同步整流技術(shù))和逆變(DC到交流)。

Irfp場效應(yīng)晶體管是一種比較新的半導(dǎo)體材料，利用電場效應(yīng)來控制晶體管的電流，因此而得名。它的外觀也是三極管，所以也叫場效應(yīng)三極管。

它的工作原理是當(dāng)UGS0為0時(shí)，在漏源之間施加一定的電壓，會有很多載流子在漏源之間漂移，產(chǎn)生漏電流。當(dāng)UGSlt0時(shí)，PN結(jié)反向，形成耗盡層，漏源之間的溝道會變窄，ID減小，UGS繼續(xù)減小，溝道繼續(xù)變窄，ID繼續(xù)減小，直到0。當(dāng)漏極電流為零時(shí)，對應(yīng)的柵源電壓UGS稱為夾斷電壓UGS(off)。

N溝道結(jié)場效應(yīng)晶體管的工作原理(1)UGS對導(dǎo)電溝道和D i的控制作用UGS為0時(shí)，導(dǎo)電溝道不受任何電場的影響，施加Uds時(shí)D i最大；當(dāng)Ugs從零增加到負(fù)時(shí)，在GS u的反向偏置電壓下，耗盡層會變寬，導(dǎo)電溝道會變窄，溝道電阻增加。當(dāng)應(yīng)用Uds時(shí)，D i將會減少。當(dāng)│ ugs │ ugs (off)時(shí)，兩邊的耗盡層在中間完全閉合，導(dǎo)電溝道被夾斷；柵極和源極之間對應(yīng)的電壓稱為夾斷電壓Ugs(off)?？梢钥闯?，改變Ugs的大小可以有效地控制導(dǎo)電溝道電阻的大小。...