半導(dǎo)體中摻入五價元素 n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體屬于簡并還是非簡并?
n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體屬于簡并還是非簡并?N型半導(dǎo)體也稱做電子型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠(yuǎn)小于電子空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。在透明的硅晶體中加入添加劑五價元素(如磷),使之脫離晶格中硅原子的位置,
n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體屬于簡并還是非簡并?
N型半導(dǎo)體也稱做電子型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠(yuǎn)小于電子空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。
在透明的硅晶體中加入添加劑五價元素(如磷),使之脫離晶格中硅原子的位置,就自然形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中,自由電子為多子,電子和空穴為少子,要注意靠自由電子導(dǎo)電。自由電子比較多由雜質(zhì)原子需要提供,載流子由熱放出不能形成。兌入的雜質(zhì)少嘛,多子(自由電子)的濃度就越高,導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。
P型半導(dǎo)體也稱作載流子型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體即電子和空穴濃度遠(yuǎn)小于自由電子濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。
在至純至凈的硅晶體中添入三價元素(如硼),使之脫離晶格中硅原子的位子,就連成P型半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中,電子空穴為多子,自由電子為少子,主要注意靠載流子導(dǎo)電。載流子要注意由雜質(zhì)原子能提供,自由電子由熱放出無法形成。加入添加劑的雜質(zhì)一定,多子(電子空穴)的濃度就越高,導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。
在本征半導(dǎo)體中加入三價元素,加入五價元素可形成什么半導(dǎo)體?
在本征半導(dǎo)體中加入到五價元素可以不無法形成N型半導(dǎo)體,加入到三價元素也可以無法形成P型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體中少子是載流子,多子是電子。
N型.P型半導(dǎo)體中的載流子各是什么?
P型半導(dǎo)體:在至純至凈的硅晶體中兌入三價元素(如硼),使之逐漸晶格中硅原子的位置,就形成了P型半導(dǎo)體。
多數(shù)載流子:P型半導(dǎo)體中,空穴的濃度小于自由電子的濃度,稱為多數(shù)載流子,全稱多子。
少數(shù)載流子:P型半導(dǎo)體中,自由電子為少數(shù)載流子,全稱少子。
N型半導(dǎo)體:在精純的硅晶體中添入五價元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置自然形成N型半導(dǎo)體。
多子:N型半導(dǎo)體中,多子為自由電子。
少子:N型半導(dǎo)體中,少子為空穴。
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N型半導(dǎo)體的特點:
半導(dǎo)體中有兩種載流子,即價帶中的空穴和導(dǎo)帶中的電子,以電子導(dǎo)電偏于的半導(dǎo)體稱之為N型半導(dǎo)體,與之相對的,以載流子導(dǎo)電偏于的半導(dǎo)體稱做P型半導(dǎo)體。
“N”意思是負(fù)電的意思,取自于英文Negative的第一個字母。在這類半導(dǎo)體中,進(jìn)行導(dǎo)電的(即導(dǎo)電載體)主要是帶負(fù)電的電子,這些電子充斥半導(dǎo)體中的施主。凡摻有施主雜質(zhì)或施主數(shù)量緩于受主的半導(dǎo)體大都N型半導(dǎo)體。.例如,所含的注意適量五價元素砷、磷、銻等的鍺或硅等半導(dǎo)體。
導(dǎo)致N型半導(dǎo)體中電荷量與負(fù)電荷量之和,故N型半導(dǎo)體呈電中性。自由電子要注意由雜質(zhì)原子提供,空穴由熱激發(fā)自然形成。加入添加劑的雜質(zhì)到最后,多子(自由電子)的濃度就越高,導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。
P型半導(dǎo)體的特點:
半導(dǎo)體中有兩種載流子:導(dǎo)帶中的電子和價帶中的空穴。如果沒有某一類型半導(dǎo)體的導(dǎo)電性主要注意靠著價帶中的空穴,則該類型的半導(dǎo)體就稱為P型半導(dǎo)體。
“P”意思是正電的意思,出自東方英文Positive的第一個字母。在這類半導(dǎo)體中,組織導(dǎo)電的(即電荷載體)通常是帶正電的空穴,這些空穴來自半導(dǎo)體中的受主。所以凡摻有受主雜質(zhì)或受主數(shù)量多于施主的半導(dǎo)體全是p型半導(dǎo)體。比如,成分注意適量三價元素硼、銦、鎵等的鍺或硅等半導(dǎo)體那是P型半導(dǎo)體。
由于P型半導(dǎo)體中電荷量與負(fù)電荷量之和,故P型半導(dǎo)體呈電弱酸性??昭ū容^多由雜質(zhì)原子能提供,自由電子由熱增強(qiáng)不能形成。加入添加劑的雜質(zhì)少嘛,多子(空穴)的濃度就越高,導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。