碳基pn結(jié)原理？碳基PN結(jié)原理是由一個(gè)N型攙雜區(qū)和一個(gè)P型滲雜區(qū)互相交叉所接觸所可以形成的，其外界界面被稱(chēng)冶金結(jié)界面。在一塊發(fā)下的硅片上，用差別的滲雜工藝使其不停地?zé)o法形成N型半導(dǎo)體，另一邊連成P型半

碳基pn結(jié)原理？

碳基PN結(jié)原理是由一個(gè)N型攙雜區(qū)和一個(gè)P型滲雜區(qū)互相交叉所接觸所可以形成的，其外界界面被稱(chēng)冶金結(jié)界面。

在一塊發(fā)下的硅片上，用差別的滲雜工藝使其不停地?zé)o法形成N型半導(dǎo)體，另一邊連成P型半導(dǎo)體，我們稱(chēng)兩種半導(dǎo)體的西南角面附近的區(qū)域?yàn)镻N結(jié)。

在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體特點(diǎn)后，而N型區(qū)內(nèi)自由電子為多子電子和空穴全都為零被稱(chēng)少子，而P型區(qū)內(nèi)電子空穴為多子自由電子為少子，在它們的交界處就會(huì)出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差。

而自由電子和空穴濃度差的原因，有一些電子從N型區(qū)向P型區(qū)向外擴(kuò)散，也有一些空穴要從P型區(qū)向N型區(qū)向外擴(kuò)散。

它們擴(kuò)散出來(lái)的結(jié)果使得P區(qū)在旁邊沒(méi)了電子和空穴，留下來(lái)了帶負(fù)電的雜質(zhì)離子，N區(qū)一邊沒(méi)了電子，帶走了帶正電的雜質(zhì)離子。

開(kāi)道中半導(dǎo)體中的離子肯定不能橫豎斜天翼，并且不聯(lián)合導(dǎo)電。這些肯定不能移動(dòng)的帶電粒子在P和N區(qū)交界面附近，形成了一個(gè)空間電荷區(qū)，空間電荷區(qū)的薄厚和游離物濃度有關(guān)。

在空間電荷區(qū)形成后，而正負(fù)電荷之間的相互作用，在空間電荷區(qū)連成了內(nèi)電場(chǎng)，其方向是從帶正電的N區(qū)正指向帶負(fù)電的P區(qū)。顯然，這個(gè)電場(chǎng)的方向與載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的方向而是，攔阻擴(kuò)撒。

一方面，這個(gè)電場(chǎng)將使N區(qū)的小部分載流子p型半導(dǎo)體向P區(qū)甩尾，使P區(qū)的一少部分載流子電子向N區(qū)漂移，飄移運(yùn)動(dòng)的方向倒是與擴(kuò)撒運(yùn)動(dòng)的方向只不過(guò)。

從N區(qū)甩尾漂移到P區(qū)的空穴回答了原先交界面上P區(qū)所死去的空穴，從P區(qū)甩尾漂移到N區(qū)的電子需要補(bǔ)充了原來(lái)交界面上N區(qū)所沒(méi)了的電子，這就使空間電荷增加，內(nèi)電場(chǎng)變得越來(lái)越弱。但，甩尾漂移運(yùn)動(dòng)的結(jié)果是使空間電荷區(qū)完全堵塞，擴(kuò)散出來(lái)運(yùn)動(dòng)結(jié)合。

后來(lái)，多子的擴(kuò)散出來(lái)和少子的漂移提升到動(dòng)態(tài)平衡。在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的結(jié)合面兩側(cè)，留下來(lái)離子薄層，這個(gè)離子薄層連成的空間電荷區(qū)稱(chēng)為PN結(jié)。

PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)方向由N區(qū)指向P區(qū)。在空間電荷區(qū)，因此缺少多子，所以才也稱(chēng)幾乎耗盡層。

pn結(jié)是由什么型導(dǎo)體？

我來(lái)解釋一種少見(jiàn)簡(jiǎn)潔的答案，行最簡(jiǎn)形矩陣200以?xún)?nèi)三個(gè)條件的被稱(chēng)PN結(jié)：

1、由P型和N型半導(dǎo)體外界而連成；

2、在它們的交界處面處形成空間電荷區(qū)；

3、兩邊呈中性區(qū)。學(xué)完半導(dǎo)體器件物理再加強(qiáng)老師回答總結(jié)不出來(lái)的，如有表述很是奇怪之處歡迎見(jiàn)怪哦。

pn型半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理？

原理是由于肖特基勢(shì)壘相同高度減低,N型半導(dǎo)體的電子在加上電場(chǎng)的作用下就有較大的概率能沖到耗盡區(qū)經(jīng)過(guò)P型區(qū),出現(xiàn)電流,而P型半導(dǎo)體的空穴都是類(lèi)似于,此時(shí)我們就稱(chēng)PN結(jié)導(dǎo)通了。

之外方向向偏壓導(dǎo)通之外,PN結(jié)還會(huì)被反向移動(dòng)擊壞。逆方向擊穿就像有兩種,雪崩燒斷和齊納擊穿。

雪崩擊壞是當(dāng)加上的方向相反電場(chǎng)足夠大時(shí),半導(dǎo)體內(nèi)的載流子能量太高,在和原子發(fā)射碰撞時(shí)起碼破壞共價(jià)鍵,催發(fā)出新的載流子。