場效應管共分幾種？場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。mos管是物理開關嗎？場效應管簡稱MOS可以做物理開關功能用，它由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬

場效應管共分幾種？

場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。

mos管是物理開關嗎？

場效應管簡稱MOS可以做物理開關功能用，它由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(10~10Ω)、噪聲小、功耗低

mos管和ic區(qū)別？

MOS管本質(zhì)上并沒有區(qū)別，使用IC或電平來控制MOS只是根據(jù)負載需求而并非MOS本身管來制定的。

MOS管是金屬-氧化物-半導體結構的場效應三級管,而普通三極管則是P-N-P或 N-P-N結構(雙極工藝)的三極管,IC(集成電路)是采用MOS或雙極工藝或復合工藝在半導體基片上制作若干個元器件并連接成電路的器件。

MOS和場效應管可以混用嗎？

可以并聯(lián)使用，但最好加均流電阻。不能串聯(lián)使用。

場效應晶體管(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管和金屬 - 氧化物半導體場效應管。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

IGBT能用MOS管代替嗎？

IGBT不能用MOS管代替。

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

mos管與三極管區(qū)分？

一、主體不同

1、MOS管：金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管。

2、三極管：半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件。

二、作用不同

1、MOS管：管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場效應管。

2、三極管：是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。三、特點不同

1、MOS管：MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

2、三極管：是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列有PNP和NPN兩種