stc12c5a60s2單片機(jī)主要技術(shù)參數(shù)？STC12C5A60S2/AD/PWM系列單片機(jī)是宏晶科技生產(chǎn)的產(chǎn)品的單時(shí)鐘/機(jī)器周期(1T)的單片機(jī)，是高速/低功耗/超強(qiáng)抗干擾的第2代8051單片機(jī)，指

stc12c5a60s2單片機(jī)主要技術(shù)參數(shù)？

STC12C5A60S2/AD/PWM系列單片機(jī)是宏晶科技生產(chǎn)的產(chǎn)品的單時(shí)鐘/機(jī)器周期(1T)的單片機(jī)，是高速/低功耗/超強(qiáng)抗干擾的第2代8051單片機(jī)，指令代碼已經(jīng)兼容問(wèn)題傳統(tǒng)8051,但速度快8-12倍。內(nèi)部集成主板MAX810專(zhuān)用復(fù)位電路,2路PWM,8路高速10位A/D可以轉(zhuǎn)換(250K/S),因?yàn)殡姍C(jī)控制，強(qiáng)干擾場(chǎng)合。

1.增強(qiáng)型8051CPU，1T，單時(shí)鐘/機(jī)器周期，指令代碼完全不兼容傳統(tǒng)8051

2.工作電壓：STC12C5A60S2系列工作電壓：5.5V-3.3V(5V單片機(jī))STC12LE5A60S2系列工作電壓：3.6V-2.2V(3V單片機(jī))

3.工作頻率范圍：0-35MHz，超過(guò)大多數(shù)8051的0～420MHz

4.用戶(hù)應(yīng)用程序空間8K/16K/20K/32K/40K/48K/52K/60K/62K字節(jié)

5.片上集成顯卡1280字節(jié)RAM

6.通用I/O口(36/40/44個(gè))，復(fù)位后為：準(zhǔn)雙向口/弱上拉(其它8051比較傳統(tǒng)I/O口)，可設(shè)置成四種模式：準(zhǔn)分流口/弱上拉，推挽/強(qiáng)上拉，僅為輸入輸入/高阻，開(kāi)漏，每個(gè)I/O口驅(qū)動(dòng)能力均可提升20mA，但整個(gè)芯片大最好別將近120mA

(在系統(tǒng)可編程)/IAP(在應(yīng)用可編程)，無(wú)須有帶編程器，不需要專(zhuān)用仿真器可按照串口(P3.0/P3.1)再上網(wǎng)下載用戶(hù)程序，數(shù)秒即可完成大片

8.有EEPROM功能(STC12C5A62S2/AD/PWM無(wú)內(nèi)部EEPROM)

9.內(nèi)部集成顯卡MAX810使用說(shuō)明復(fù)位電路(外部晶體12M以下時(shí)，復(fù)位腳可直接1K電阻到地)

10.外部掉電檢測(cè)電路:在P4.6口有一個(gè)低壓門(mén)檻比較器，5V單片機(jī)為1.32V，誤差為±5%,3.3V單片機(jī)為1.30V，誤差為±3%

11.時(shí)鐘源：外部高精度晶體/時(shí)鐘，內(nèi)部R/C振蕩器(溫漂為±5%到±10%以?xún)?nèi))1用戶(hù)在下載用戶(hù)程序時(shí)，可你選擇是使用內(nèi)部R/C振蕩器那就外部晶體/時(shí)鐘，常溫下內(nèi)部R/C振蕩器頻率為：5.0V單片機(jī)為：11MHz～15.5MHz，3.3V單片機(jī)為：8MHz～12MHz，精度要求不高時(shí)，可選擇建議使用內(nèi)部時(shí)鐘，但只不過(guò)有制造出來(lái)誤差和溫漂，以實(shí)際測(cè)試房屋登記薄

12.共4個(gè)16位定時(shí)器兩個(gè)與傳統(tǒng)8051兼容性的定時(shí)器/計(jì)數(shù)器,16位定時(shí)器T0和T1，沒(méi)有定時(shí)器2，但有獨(dú)立波特率發(fā)生器做串行通訊的

DDR3傳輸原理？

簡(jiǎn)單，芯片剛剛進(jìn)入上電，在上電大于為200us的平順電平后，在等待500usCKE使能，

在時(shí)間芯片內(nèi)部正在狀態(tài)初始化設(shè)置，該過(guò)程與外部時(shí)鐘無(wú)關(guān)。在時(shí)鐘使能信號(hào)前（cke），

可以保持大于10ns或是5個(gè)時(shí)鐘周期，除了，還要一個(gè)NOP命令或是Deselect命令會(huì)出現(xiàn)在CKE的前面。

然后DDR3就開(kāi)始了ODT的過(guò)程，在復(fù)位和CKE管用之前，ODT一直都為高阻。

在CKE為高后，耐心的等待tXPR(最大時(shí)復(fù)位CKE時(shí)間)，然后再又開(kāi)始從MRS中讀取數(shù)據(jù)模式寄存器。

然后再加載MR2、MR3的寄存器，來(lái)配置好不好應(yīng)用形式設(shè)置里；然后再使能DLL，因此對(duì)DLL復(fù)位。

緊接著便是啟動(dòng)ZQCL命令，來(lái)正在ZQ校準(zhǔn)過(guò)程。耐心的等待校準(zhǔn)數(shù)據(jù)已經(jīng)結(jié)束后，DDR3就直接進(jìn)入了是可以都正常操作的狀態(tài)。