存儲(chǔ)器分類(lèi)及各自特點(diǎn)有哪些？你好，根據(jù)不同的特點(diǎn)，內(nèi)存分類(lèi)有很多種分類(lèi)方法。(1)按工作性質(zhì)/訪(fǎng)問(wèn)方法分類(lèi)？隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)-每個(gè)單元都有相同的讀寫(xiě)時(shí)間，不管每個(gè)單元的位置如何。如:內(nèi)存。？順

存儲(chǔ)器分類(lèi)及各自特點(diǎn)有哪些？

你好，根據(jù)不同的特點(diǎn)，內(nèi)存分類(lèi)有很多種分類(lèi)方法。

(1)按工作性質(zhì)/訪(fǎng)問(wèn)方法分類(lèi)

？隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)-每個(gè)單元都有相同的讀寫(xiě)時(shí)間，不管每個(gè)單元的位置如何。如:內(nèi)存。

？順序存取存儲(chǔ)器(SAM)-數(shù)據(jù)是從存儲(chǔ)載體的開(kāi)始按順序讀取或?qū)懭氲?，因此存取時(shí)間與信息的位置有關(guān)。比如:磁帶。

？直接存取內(nèi)存(DAM)——直接去讀寫(xiě)數(shù)據(jù)塊，按順序讀寫(xiě)數(shù)據(jù)塊。例如磁盤(pán)。

？關(guān)聯(lián)存儲(chǔ)器-根據(jù)檢索到存儲(chǔ)位置的內(nèi)容進(jìn)行讀寫(xiě)。比如:快表。

(2)按存儲(chǔ)介質(zhì)分類(lèi)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器:雙極型，靜態(tài)MOS，動(dòng)態(tài)MOS。

磁性表面存儲(chǔ):磁盤(pán)、磁帶。

光存儲(chǔ):CD，CD-ROM，DVD。

(3)根據(jù)信息的可修改性進(jìn)行分類(lèi)

讀寫(xiě)存儲(chǔ)器:可讀可寫(xiě)

只讀存儲(chǔ)器:只讀，不可寫(xiě)。

(4)根據(jù)斷電后信息的可保存性。

非易失性(非易失性)存儲(chǔ)器:在沒(méi)有電源的情況下可以一直保存信息。

易失性存儲(chǔ)器

(5)按功能/容量/速度/位置分類(lèi)

？寄存器——封裝在CPU中，用于存儲(chǔ)當(dāng)前執(zhí)行的指令和使用的數(shù)據(jù)——由觸發(fā)器實(shí)現(xiàn)，速度快，容量小(幾個(gè)到幾十個(gè))。

？cache——位于CPU內(nèi)部或附近，用于存儲(chǔ)當(dāng)前要執(zhí)行的本地程序段和數(shù)據(jù)——由SRAM實(shí)現(xiàn)，可以匹配CPU的速度，容量很小(幾MB)。

？?jī)?nèi)部存儲(chǔ)器——位于CPU外部，用于存儲(chǔ)啟動(dòng)的程序和數(shù)據(jù)——由DRAM實(shí)現(xiàn)，它速度快，容量大(幾GB)。

？外部存儲(chǔ)器——位于主機(jī)外部，用于存儲(chǔ)暫時(shí)不活動(dòng)的程序、數(shù)據(jù)或存檔文件——由磁面或光存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)，容量大，速度慢。

mos管漏電流大小怎么測(cè)？

電阻法和電壓法。

(1)電阻法電阻法是利用金屬導(dǎo)體的電阻特性進(jìn)行測(cè)量的，包括DC法和交流法。

1 DC測(cè)量原理當(dāng)mosfet的柵極接一個(gè)DC電源時(shí)，由于mos晶體管的漏極和源極之間存在電位差，所以通過(guò)的電流與柵漏之間的電壓成正比；另一方面，當(dāng)柵極關(guān)斷(相當(dāng)于開(kāi)路)時(shí)，mos晶體管處于無(wú)負(fù)載的靜態(tài)(相當(dāng)于開(kāi)路)，其輸出會(huì)呈現(xiàn)高阻態(tài)，因此可以通過(guò)改變外部電路的阻抗或調(diào)整輸入信號(hào)的電平來(lái)控制輸出電平。

2交流測(cè)量原理當(dāng)mosfet的漏極接交流信號(hào)源時(shí)，由于信號(hào)的頻率等于mos管的開(kāi)關(guān)頻率，即kωfs，所以可以通過(guò)改變外接阻抗值來(lái)控制輸出。