萬用表測mos管電路電壓的影響？影響是使電路電壓高于正常值，原因是萬用表的分壓作用。mos管是什么原理，起什么作用的？MOS管的原理：它是借用VGS來控制“感應電荷”的多少，以變動由這些“感應電荷”形

萬用表測mos管電路電壓的影響？

影響是使電路電壓高于正常值，原因是萬用表的分壓作用。

mos管是什么原理，起什么作用的？

MOS管的原理：

它是借用VGS來控制“感應電荷”的多少，以變動由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后把提升到完全控制漏極電流的目的。在制造管子時，實際工藝使絕緣層中直接出現大量正離子，故在西南角面的另一側能感應出較少的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區(qū)接通，形成了導電溝道，除非在VGS0時也有較高的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也轉變，導電溝道的寬窄也陡然而變，加之漏極電流ID伴隨著柵極電壓的變化而改變。

作用：

1、可應用方法于放大電路。由于MOS管放大器的輸入阻抗很高，所以耦合作用電容也可以容量較小，不必可以使用電解電容器。

2、很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變化。常作用于36級放大器的然后輸入級作阻抗變換。

3、可以不廣泛用于電子可變電阻。

4、可以方便些地除用恒流源。

5、是可以使用較多電子開關。

簡介：

mos管，即在集成電路中絕緣性場效應管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管。或則稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是也可以對調的，也是在P型backgate中自然形成的N型區(qū)。在多數情況下，這個兩個區(qū)是一樣的的，即使右端加減也肯定不會引響器件的性能。這樣的器件被以為是對稱中心的。

結構特點：

MOS管的內部結構如下圖所示其導通時只有一一種極性的載流子(多子)聯(lián)合導電，是普通晶閘管型晶體管。導電機理與小功率MOS管同一，但結構上有較小區(qū)別，小功率MOS管是豎向導電器件，功率MOSFET大都按結構垂直導電結構，又稱為VMOSFET，極大想提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。

n溝道m(xù)os管

p溝道m(xù)os管

其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，所以本身很高的輸入輸入電阻，該管導通時在兩個高濃度n擴散區(qū)間自然形成n型導電溝道。n溝道提高型MOS管前提是在柵極上施加方向向偏壓，且唯有柵源電壓大于0閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管。n溝道幾乎耗盡型MOS管是指在不加柵壓(柵源電壓為零)時，就有導電溝道產生的n溝道MOS管。