場(chǎng)效應(yīng)管和mos管要散熱片嗎？MOS管工作過程中加不加熱沉的決定性因素是發(fā)熱量。對(duì)于大電流的快速開關(guān)控制，發(fā)熱量非常大，需要加散熱片散熱。如果是小電流的工作場(chǎng)景，沒必要加散熱片。如果MOS管很燙，就要

場(chǎng)效應(yīng)管和mos管要散熱片嗎？

MOS管工作過程中加不加熱沉的決定性因素是發(fā)熱量。對(duì)于大電流的快速開關(guān)控制，發(fā)熱量非常大，需要加散熱片散熱。如果是小電流的工作場(chǎng)景，沒必要加散熱片。

如果MOS管很燙，就要加散熱片，否則會(huì)燒壞芯片。

驅(qū)動(dòng)器T0P247YN電子元件易壞是什么引起的？

容易擊穿的器件有兩種，一種是MOS管，一種是電解電容。MOS管發(fā)熱，散熱做不好容易燒壞。電解電容耗時(shí)長(zhǎng)，容易包裝。從正面可以看到，一般拆開包裝就是壞的。

primeb660m-kd4能帶13700嗎？

B660M-K D4只有6 2相供電，其中6相是CPU用的，也就是運(yùn)行不到13700K的核心頻率。電源少，運(yùn)行不理想，MOS管發(fā)熱高。至少B660M-PLUS的10相電源運(yùn)行在13700K，全是睿頻。

mos管溫升快的原因？

1.有發(fā)燒。電路設(shè)計(jì)的問題是讓MOS管工作在線性工作狀態(tài)，而不是開關(guān)狀態(tài)。這也是MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果用N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓比電源高幾V才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。如果不完全打開，電壓降過大會(huì)造成功耗，等效DC阻抗會(huì)比較大，電壓降增大，那么U*I也會(huì)增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路最忌諱的錯(cuò)誤。

2，頻率太高，主要是因?yàn)橛袝r(shí)候過分追求體積，導(dǎo)致頻率增加，MOS管上的損耗增加，所以發(fā)熱也增加。

3，散熱設(shè)計(jì)做的不夠好，電流過大。MOS管的標(biāo)稱電流值一般需要良好的散熱才能達(dá)到。因此，如果ID小于最大電流，可能會(huì)引起嚴(yán)重發(fā)熱，需要足夠的輔助鰭片。

管選擇錯(cuò)誤，功率判斷錯(cuò)誤，沒有充分考慮MOS管內(nèi)阻，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。

這是我最近處理MOS管發(fā)熱問題時(shí)的一個(gè)簡(jiǎn)要總結(jié)。

芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)是什么？

答:LED日光燈電源升溫到一定程度就會(huì)燒壞。我也看到有人在行業(yè)論壇發(fā)帖討論這個(gè)問題。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降低、電感或變壓器選擇、LED電流等方面對(duì)LED日光燈電源發(fā)熱燒MOS管技術(shù)進(jìn)行探討。

(A)芯片加熱

本內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置功率調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。如果芯片消耗的電流是2mA，給芯片施加300V的電壓，芯片的功耗是0.6W，當(dāng)然會(huì)造成芯片發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來自驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單計(jì)算公式為Icvf(考慮充電的電阻效益，實(shí)際I2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率晶體管導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓，所以為了降低。芯片的功耗必須降低C、V、F，如果C、V、F不能改變，請(qǐng)想辦法把芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。簡(jiǎn)單來說，考慮更好的散熱。

(2)功率管加熱

功率管的功耗分為兩部分，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。需要注意的是，在大多數(shù)場(chǎng)合，尤其是LED商用驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，開關(guān)損傷遠(yuǎn)大于傳導(dǎo)損耗。開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs、芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān)，所以功率管的發(fā)熱可以從以下幾個(gè)方面解決:

你可以 不要單方面根據(jù)導(dǎo)通電阻來選擇MOS功率晶體管，因?yàn)閮?nèi)阻越小，cgs和cgd的電容越大。比如1N60的cgs在250pF左右，2N60的cgs在350pF左右，5N60的cgs在1200pF左右。差別太大了。在選擇功率管的時(shí)候，足夠了。

b，剩下的就是頻率和芯片驅(qū)動(dòng)能力，這里只談?lì)l率的影響。頻率也是和導(dǎo)通損耗成正比的，所以功率管發(fā)熱的時(shí)候，首先要想想頻率是不是有點(diǎn)高。盡量降低頻率！但需要注意的是，當(dāng)頻率降低時(shí)，為了獲得相同的負(fù)載能力，必須增加峰值電流或者增加電感，這可能導(dǎo)致電感進(jìn)入飽和區(qū)。如果電感的飽和電流足夠大，可以考慮將CCM(連續(xù)電流模式)改為DCM(不連續(xù)電流模式)，所以需要增加一個(gè)負(fù)載電容。

(3)工作頻率的降頻

這也是用戶調(diào)試過程中的普遍現(xiàn)象，頻率降低主要是兩方面原因造成的。輸入電壓與負(fù)載電壓之比小，系統(tǒng)干擾大。對(duì)于前者，注意不要把負(fù)載電壓設(shè)置的太高，雖然負(fù)載電壓高，但是效率也會(huì)高。對(duì)于后者，可以嘗試以下幾個(gè)方面:

a、將最小電流設(shè)置到一個(gè)較小的點(diǎn)

b、清潔布線，尤其是感測(cè)的關(guān)鍵路徑。

c、選擇小電感點(diǎn)或具有閉合磁路的電感點(diǎn)。

d，加RC低通濾波，這個(gè)影響有點(diǎn)不好，C的一致性不好，偏差有點(diǎn)大，但是照明應(yīng)該夠用了。

無論如何，降頻沒有好處，只有壞處，所以必須解決。

(4)電感器或變壓器的選擇

終于，我說到點(diǎn)子上了。我還沒有 t還沒開始，只能瞎說飽和度的影響。很多用戶反映，A產(chǎn)生的電感同樣驅(qū)動(dòng)電路沒有問題，B產(chǎn)生的電感電流變小了。這種情況下，請(qǐng)看電感電流波形。有些工程師沒有注意到這種現(xiàn)象，直接調(diào)整感應(yīng)電阻或者工作頻率來達(dá)到需要的電流，可能會(huì)嚴(yán)重影響LED的使用壽命。

因此，在設(shè)計(jì)之前，合理的計(jì)算是必要的。如果理論計(jì)算參數(shù)與調(diào)試參數(shù)相差較大，就要考慮是否降頻，變壓器是否飽和。當(dāng)變壓器飽和時(shí)，L會(huì)變小，導(dǎo)致傳輸峰值電造成延時(shí)。電流增量急劇上升，因此LED的峰值電流也增加。在平均電流不變的前提下，只能看光衰。