晶閘管的基本原理和動態(tài)特性是什么？晶閘管是閘流管(thyratron)的縮寫，也可稱為可控硅整流器，以前簡稱可控硅整流器。1957年，美國通用電氣公司開發(fā)了世界 這是美國第一個晶閘管產品，并于1958

晶閘管的基本原理和動態(tài)特性是什么？

晶閘管是閘流管(thyratron)的縮寫，也可稱為可控硅整流器，以前簡稱可控硅整流器。1957年，美國通用電氣公司開發(fā)了世界 這是美國第一個晶閘管產品，并于1958年商業(yè)化。晶閘管是PNPN的四層半導體結構，有三極:陽極、陰極和柵極。晶閘管具有硅整流器件的特性，可在高電壓、大電流條件下工作，工作過程可控，廣泛應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變器、變頻等電子電路中。

晶閘管T工作過程中，其陽極A和陰極K與電源和負載相連，構成晶閘管主電路，晶閘管的柵極G和陰極K與控制晶閘管的裝置相連，構成晶閘管控制電路。晶閘管的工作條件:1。當晶閘管承受反向陽極電壓時，無論柵極承受什么電壓，晶閘管都處于關斷狀態(tài)。2.當晶閘管承受正向陽極電壓時，晶閘管只有在柵極承受直流電壓時才導通。3.晶閘管導通時，只要有一定的正陽極電壓，無論門極電壓如何，晶閘管都保持導通，即晶閘管導通后，門極失去作用。4.當晶閘管導通時，當主回路的電壓(或電流)降低到接近于零時，晶閘管關斷。晶閘管是四層三端器件，有三個PN結J1、J2和JBOY3樂隊。圖1顯示中間的NP可以分成兩部分，形成PNP三極管和NPN三極管的復合管。圖2表明，當晶閘管承受正陽極電壓時，為了使晶閘管導通，承受反向電壓的PN結J2必須失去阻斷作用。圖2中每個晶體管的集電極電流也是另一個晶體管的基極電流。因此，當有足夠的門機電流Ig流入兩個相互復合的晶體管電路時，就會形成很強的正反饋，導致兩個晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流為Ic1和Ic2分別是；發(fā)射極電流分別為Ia和ik；電流放大倍數(shù)分別為a1Ic1/Ia和a2Ic2/Ik，流過J2結的反向漏電流為Ic0，晶閘管的陽極電流等于兩個晶體管的集電極電流和漏電流之和:IaIc1 Ic2 Ic0或IAAIIaA2IKIC0。如果門極電流為Ig，那么晶閘管的陰極電流為IkIa Ig，那么可以得出晶閘管的陽極電流為I (IC0IGa2)/(1-(a1A2))。硅PNP管和硅NPN管對應的電流放大倍數(shù)A1和A2隨著其發(fā)射極電流的變化而急劇變化，如圖3所示。當晶閘管承受正向陽極電壓而柵極不承受電壓時，在公式(1-1)中，Ig0，(a1 a2)很小，所以晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0處于正向阻斷狀態(tài)。當晶閘管處于正陽極電壓時，電流Ig從柵極g流入，由于足夠大的Ig流過NPN管的發(fā)射極結，啟動電流的放大系數(shù)a2增大，足夠大的電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射極結，PNP管的電流放大系數(shù)a1增大，使得更大的電極電流Ic1流過NPN管的發(fā)射極結。這種強有力的正反饋過程進展迅速。由圖3可知，當a1和a2隨發(fā)射極電流而增大且(a1 a2)≈1時，公式(1-1)中的分母1-(a1 a2)≈0，從而增大晶閘管的陽極電流Ia。此時流過晶閘管的電流完全由主回路電壓和回路電阻決定。晶閘管處于正向導通狀態(tài)。式(1-1)中，晶閘管開通后，1-(a1 a2)≈0，即使此時，晶閘管也能保持原陽極電流Ia繼續(xù)開通。晶閘管開通后，門極就失去了作用。晶閘管開通后，如果電源電壓不斷降低或回路電阻增大，使陽極電流Ia降低到保持電流IH以下，由于a1和a1下降很快，當1-(a1 a2)≈0時，晶閘管將恢復阻斷狀態(tài)。

整流所用的半導體器件特性是？

特點是單向傳導。

整流用的半導體器件是一種導電率介于良導體和絕緣體之間的電子器件，利用半導體材料特殊的電學特性來完成特定的功能。它可以用來產生、控制、接收、變換、放大信號和進行能量轉換，其特點是單向導電。用于整流的半導體器件的半導體材料為硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、光發(fā)射器、放大器、光電探測器等設備。為了與集成電路相區(qū)別，有時稱之為分立器件。大多數(shù)雙端器件(即晶體二極管)的基本結構是PN結。