門(mén)電路邏輯符號(hào)？它的邏輯功能沒(méi)變，但還是存在的。AB1和T5導(dǎo)通，輸出端為低電平Y(jié)0。只要A和B中有一個(gè)為0，T5關(guān)斷，輸出端為高電平5V(TTL與非門(mén)輸出高電平Y(jié)vOH3.6V)，Y1。把T4換成R

門(mén)電路邏輯符號(hào)？

它的邏輯功能沒(méi)變，但還是存在的。

AB1和T5導(dǎo)通，輸出端為低電平Y(jié)0。只要A和B中有一個(gè)為0，T5關(guān)斷，輸出端為高電平5V(TTL與非門(mén)輸出高電平Y(jié)vOH3.6V)，Y1。把T4換成R4，明明邏輯功能沒(méi)變，速度卻大打折扣。如果R4不在集成電路內(nèi)部(T5的集電極處于開(kāi)路狀態(tài))，在使用OC門(mén)集成塊時(shí)，用戶必須選擇一個(gè)合適的電阻值，在門(mén)的輸出端和電源之間連接Rc，這樣OC門(mén)才能有穩(wěn)定的邏輯功能(如果不連接Rc，讓它集電極開(kāi)路，電路就不會(huì)有正常的邏輯功能)。這種電路簡(jiǎn)稱(chēng)為集電極開(kāi)路門(mén)-OC門(mén)。

ttl反相器的用途？

Ttl反相器是ttl電路的基本環(huán)節(jié)。ttl集成邏輯門(mén)的輸入輸出結(jié)構(gòu)均采用半導(dǎo)體三極管，故稱(chēng)為晶體管-晶體管邏輯門(mén)電路，簡(jiǎn)稱(chēng)ttl電路。Ttl反相器可以看作是改變了輸入電路和輸出電路結(jié)構(gòu)的bjt反相器。

TTL反相器由輸入級(jí)、輸出級(jí)、中間級(jí)或驅(qū)動(dòng)電路三部分組成，可以實(shí)現(xiàn)反向操作。

cmos反相器和ttl反相器特點(diǎn)？

高低電平差別大，抗干擾能力強(qiáng)，而TTL差別小，抗干擾能力差。

4、CMOS功耗很小，TTL功耗大(1 ~ 5ma/門(mén))

的工作頻率略低于TTL，但高速CMOS的速度與TTL相差無(wú)幾。

的噪聲容限大于TTL。

7.一般認(rèn)為T(mén)TL門(mén)的速度高于CMOS門(mén)。影響TTL門(mén)電路工作速度的主要因素是內(nèi)部管的開(kāi)關(guān)特性、電路結(jié)構(gòu)和內(nèi)部電阻值。電阻值越大，工作速度越低。管道的開(kāi)關(guān)時(shí)間越長(zhǎng)，門(mén)的工作速度越低。門(mén)的速度主要體現(xiàn)在 "傳輸延遲和延遲輸出波形相對(duì)于輸入波形的tpd。tpd和空載功耗P的乘積稱(chēng)為 "速度-功耗乘積，這是器件性能的重要指標(biāo)。值越小，器件性能越好(一般在幾十皮焦(10-12)左右)。與TTL門(mén)電路不同，影響CMOS電路工作速度的主要因素在于電路外部，即負(fù)載電容CL。CL是影響器件工作速度的主要原因。由CL決定的CMOS門(mén)的傳輸延遲約為幾十納秒。

電路是電流控制器件，而coms電路是電壓控制器件。

二，使用CMOS的注意事項(xiàng)

1)COMS電路是一種電壓控制器件，它的輸入總電阻很大，捕獲干擾信號(hào)的能力很強(qiáng)。因此，不使用的引腳不應(yīng)懸空，而應(yīng)連接一個(gè)上拉電阻或下拉電阻，使其保持恒定電平。

2)當(dāng)輸入端接低內(nèi)組信號(hào)源時(shí)，應(yīng)在輸入端和信號(hào)源之間串聯(lián)一個(gè)限流電阻，將輸入電流限制在1mA。

3)當(dāng)信號(hào)傳輸線延長(zhǎng)時(shí)，COMS電路端接一個(gè)匹配電阻。

4)當(dāng)輸入端接大電容時(shí)，應(yīng)在輸入端和電容之間間接保護(hù)電阻。電阻值為RV0/1mA。V0是外部電容上的電壓。

5)如果COMS的輸入電流超過(guò)1mA，可能會(huì)燒壞COMS。

3.什么是圖騰柱？什么？;它和開(kāi)漏電路有什么區(qū)別？在TTL集成電路中，有上拉晶體管的輸出稱(chēng)為圖騰柱輸出，沒(méi)有上拉晶體管的輸出稱(chēng)為OC門(mén)。因?yàn)門(mén)TL是三級(jí)通，圖騰柱是兩個(gè)三級(jí)管推挽連接。所以推拉是圖騰。一般圖騰輸出，高等級(jí)400UA，低等級(jí)8MA IV。CMOS電路的鎖定效應(yīng)是什么？由于電流輸入過(guò)多，COMS電路內(nèi)部電流急劇增加，除非切斷電源，否則電流一直在增加。這種效應(yīng)就是鎖定效應(yīng)。發(fā)生鎖定效應(yīng)時(shí)，COMS內(nèi)部電流可達(dá)40mA以上，容易燒壞芯片。防御措施:

1)在輸入和輸出端增加箝位電路，保證輸入和輸出不超過(guò)規(guī)定電壓。

2)將去耦電路添加到芯片的電源輸入端，以防止VDD端的瞬時(shí)高電壓。

3)在VDD和外部電源之間加一個(gè)線電流電阻，don 即使電流很大，也不要讓它進(jìn)來(lái)。

4)當(dāng)系統(tǒng)分別由幾個(gè)電源供電時(shí)，開(kāi)關(guān)應(yīng)按如下順序:接通時(shí)，先接通COMS電路的電源，再接通輸入信號(hào)和負(fù)載的電源；關(guān)機(jī)時(shí)，先關(guān)輸入信號(hào)和負(fù)載的電源，再關(guān)COMS電路的電源。