pfc電路mos管擊穿原因？pfc電路中mos管擊穿的原因:過(guò)壓破壞，包括柵極過(guò)壓和漏極過(guò)壓，過(guò)壓后往往伴隨過(guò)流。如果短時(shí)間內(nèi)保護(hù)，那簡(jiǎn)直就是過(guò)壓損壞。此時(shí)可以看到，在源的非打線區(qū)域會(huì)有小黑點(diǎn)，顏色可

pfc電路mos管擊穿原因？

pfc電路中mos管擊穿的原因:過(guò)壓破壞，包括柵極過(guò)壓和漏極過(guò)壓，過(guò)壓后往往伴隨過(guò)流。如果短時(shí)間內(nèi)保護(hù)，那簡(jiǎn)直就是過(guò)壓損壞。此時(shí)可以看到，在源的非打線區(qū)域會(huì)有小黑點(diǎn)，顏色可能不會(huì)很深。如果過(guò)壓后沒(méi)有保護(hù)然后保護(hù)會(huì)被過(guò)流損壞，芯片會(huì)在源的非打線區(qū)域大面積燒黑。

mos管損耗和什么有關(guān)？

mos管的損耗與過(guò)流、過(guò)壓、靜電有關(guān)。

過(guò)流——持續(xù)大電流或瞬間大電流導(dǎo)致結(jié)溫過(guò)高而燒毀。

過(guò)壓-源漏過(guò)壓擊穿，源柵過(guò)壓擊穿。

靜電——靜電擊穿，CMOS電路怕靜電。

MOS的工作狀態(tài)分為:on過(guò)程(從關(guān)到開(kāi)的過(guò)渡過(guò)程)、on狀態(tài)、off過(guò)程(從開(kāi)到關(guān)的過(guò)渡過(guò)程)和off狀態(tài)。

MOS對(duì)應(yīng)這些狀態(tài)的主要損耗:開(kāi)關(guān)損耗(導(dǎo)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程)、導(dǎo)通損耗、關(guān)斷損耗(漏電流引起，忽略不計(jì))、雪崩能量損耗。只要這些損耗控制在MOS容差范圍內(nèi)，MOS就會(huì)正常工作。如果超出公差范圍，就會(huì)發(fā)生損壞。然而，開(kāi)關(guān)損耗通常大于通態(tài)損耗，對(duì)于不同的MOS，差距可能很大。

mos管擊穿原因及解決？

MOS管擊穿的原因及解決方法如下:

第一，MOS管本身的輸入電阻很高，柵源之間的電容很小，所以很容易被外部電磁場(chǎng)或靜電充電，少量的電荷就能在電極之間的電容上形成相當(dāng)高的電壓(UQ/C)，會(huì)損壞管。

雖然MOS輸入有防靜電保護(hù)措施，但仍需小心對(duì)待。在儲(chǔ)存和運(yùn)輸中，最好用金屬容器或?qū)щ姴牧习b，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。

在裝配和調(diào)試期間，工具、儀器、工作臺(tái)等。應(yīng)接地良好。為防止操作人員靜電干擾造成的傷害，如果不適合穿尼龍或化纖衣服，最好在接觸集成塊前用手或工具接觸地面。當(dāng)拉直、彎曲或手工焊接設(shè)備引線時(shí)，所用設(shè)備必須良好接地。。

二、MOS電路輸入端保護(hù)二極管的電流容差一般為1mA。當(dāng)可能出現(xiàn)過(guò)大的瞬態(tài)輸入電流(超過(guò)10mA)時(shí)，應(yīng)串聯(lián)輸入保護(hù)電阻。還有129#沒(méi) 初始設(shè)計(jì)時(shí)沒(méi)有加保護(hù)電阻，所以這也是MOS管可能擊穿的原因。因此，可以通過(guò)更換具有內(nèi)部保護(hù)電阻的MOS管來(lái)防止這種故障。

另外，由于保護(hù)電路吸收的瞬時(shí)能量有限，瞬時(shí)信號(hào)過(guò)大、靜電電壓過(guò)高都會(huì)使保護(hù)電路失效。因此，在焊接時(shí)，電烙鐵必須可靠接地，以防止漏電穿透設(shè)備的輸入端。一般使用時(shí)，停電后電烙鐵的余熱可用于焊接，電烙鐵應(yīng)先接地。Pin。