集成電路設計的架構是什么？集成電路設計:利用半導體制造技術，在一個很小的單晶硅片上制造大量的晶體管、電阻、電容等元件，按照多層布線或隧道布線的方法，將這些元件組合成一個完整的電子電路設計。集成電路架構

集成電路設計的架構是什么？

集成電路設計:利用半導體制造技術，在一個很小的單晶硅片上制造大量的晶體管、電阻、電容等元件，按照多層布線或隧道布線的方法，將這些元件組合成一個完整的電子電路設計。

集成電路架構設計是什么？

集成電路設計:利用半導體制造技術，在一個很小的單晶硅片上制造大量的晶體管、電阻、電容等元件，按照多層布線或隧道布線的方法，將這些元件組合成一個完整的電子電路設計。

為什么積分放大電路要并一個電阻？

理想的積分器不需要并聯(lián)這個電阻。

由于運算放大器的原因，實際的積分器將不可避免地具有偏置電壓。雖然偏置電壓很低，但是電容會充放電，時間長了電容會飽和。并聯(lián)電阻的目的是為電容提供放電回路，不至于飽和，保證電容上電壓和電流的微分關系。。

集成門電路的選用原則？

集成電路的優(yōu)選順序是超大規(guī)模集成電路→大規(guī)模集成電路→中規(guī)模集成電路→小規(guī)模集成電路。

2.盡量使用金屬外殼的集成電路，便于散熱。

3.所選的集成電壓調節(jié)器內部應具有過熱和過流保護電路。

4.VLSI的選擇要考慮電路的可測試性和可篩選性，否則會影響其可靠性。

5.集成電路MOS器件的選擇應注意以下內容::

1)1)MOS器件的電流負載能力低，無功負載會大大影響器件的工作速度。

2)對于時序和組合邏輯電路，所選器件的最高頻率應比電路的應用部分高2 ~ 3倍。

3)對于輸入接口，設備抗干擾性強。

4)對于輸出接口，設備驅動能力強。

6.應用CMOS集成電路時，應注意以下問題:

1)1)CMOS集成電路輸入電壓的擺幅應控制在源極電源電壓和漏極電源電壓之間。

2)2)CMOS集成電路的源極電源電壓VSS為低電位，漏極電源電壓VDD為高電位，不可反相。3)當輸入信號源與CMOS集成電路不使用同一組電源時，應先接CMOS集成電路的電源，再接信號源；先斷開信號源，再斷開CMOS集成電路的電源。

4)如果4)CMOS集成電路的輸入(輸出)端接了長線或大的積分或濾波電容，應在輸入(輸出)端串聯(lián)一個限流電阻(1 ~ 10kΩ)，將輸入(輸出)電流限制在10mA以下。

5)當輸入到CMOS集成電路的時鐘信號的邊沿由于負載過重而太慢時，不僅會導致數據錯誤，還會增加其功耗并降低其可靠性。因此，可以將施密特觸發(fā)器添加到其輸入端，以改善時鐘信號的邊沿。

7.7:CMOS集成電路中所有不同的輸入端都不應該空閑，工作功能正常。:應得到如下對待。

1)與門和非門的冗余端應通過0.5 ~ 1MΩ的電阻連接到VDD或高電平。

2)或門和或非門的冗余端應通過0.5 ~ 1MΩ的電阻連接到VSS或低電平。

3)如果電路的工作速度不高，不特別考慮功耗，冗余終端可以和相同功能的用戶終端并聯(lián)在同一芯片上。需要指出的是，并聯(lián)運行的傳輸特性與單一運行的傳輸特性有些不同。

8.選擇集成運算放大器和集成比較器應注意以下問題:。

1)當無內部補償的集成運算放大器用于負反饋時，應采取補償措施防止自激振蕩。

2)積分比較器應用于開環(huán)時，有時會產生自激振蕩。采取的主要措施是實現電源去耦，降低布線電容和電感耦合。

3)輸出功率較大時，應增加緩沖級。當輸出端直接連接到電路板外部時，應在輸出端考慮短路保護。

4)輸入端應加過電壓保護，特別是輸入端直接接在電路板外部時，必須在輸入端采取過電壓保護措施。