請(qǐng)教單片機(jī)掉電后，如何快速的保存數(shù)據(jù)問題？因?yàn)轭}主的問題，我想估計(jì)從以上幾個(gè)方面從哪里入手：最好不要選用天然內(nèi)部的flash來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，內(nèi)部flash的讀寫速度快，可靠性高。要是用外置的flash或則

請(qǐng)教單片機(jī)掉電后，如何快速的保存數(shù)據(jù)問題？

因?yàn)轭}主的問題，我想估計(jì)從以上幾個(gè)方面從哪里入手：

最好不要選用天然內(nèi)部的flash來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，內(nèi)部flash的讀寫速度快，可靠性高。

要是用外置的flash或則是eeprom進(jìn)行存儲(chǔ)，flash一般是spi接口，決定到電磁干擾，MCU的響應(yīng)速度等問題，除非是采用MCU的硬件SPI模塊并且通信，SPI的clock時(shí)鐘最低也就1MHz左右，發(fā)送中1個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)差不多是需要10us，不考慮到刪除區(qū)域flash的時(shí)間，存儲(chǔ)100個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)，如果沒有考慮可靠性，是需要加載驗(yàn)證，大概需要5ms左右的時(shí)間。

而eeprom一般區(qū)分IIC接口，與SPI接口帶有，以出口下高速IIC進(jìn)行通信，存儲(chǔ)100個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)大概必須5ms左右的時(shí)候。

FLASH的特點(diǎn)是寫數(shù)據(jù)沒有辦法由1擴(kuò)寫為0，由0重新編寫為1必須整個(gè)page，的或整個(gè)sector，的或整個(gè)block并且擦除。

以STM32F051為例，一個(gè)page為1kByte，一個(gè)block為64kByte，擦除數(shù)據(jù)一個(gè)page大概需要的時(shí)間約20ms，在整個(gè)橡皮擦功能過程中，整個(gè)MCU是掛機(jī)的，也就是不執(zhí)行任何操作。而FLASH的寫操作比較好快，至少1個(gè)Byte前后歷時(shí)1us。

必須有掉電檢測(cè)電路，掉電怎么檢測(cè)必須是從檢測(cè)給MCU供電的LDO的或DC-DC的前級(jí)電壓。

.例如MCU-3.3V的LDO電源供電，則不需要實(shí)際檢測(cè)12V的電壓來判斷是否斷電后。

將12V按照電阻分壓之后，接入MCU的A/D檢測(cè)檢測(cè)口來確認(rèn)如何確定掉電。

MCU供電的LDO或是DC-DC的前級(jí)并聯(lián)連接起碼的電容，以以保證電容的供電能可以保證MCU將數(shù)據(jù)讀取。

也可以通過以下的步驟再確認(rèn)電容的大小：

出具評(píng)估報(bào)告由掉電時(shí)前級(jí)電壓供電的工作電流大小，MCU一但檢測(cè)檢測(cè)到掉電，不需要切掉耗電大的控制輸出，諸如控制繼電器輸出的I/O口要立即斷開連接。比如說20mA。

確認(rèn)LDO的最少輸入電壓，比如5.3

確認(rèn)推測(cè)掉電的電壓，比如說10V，再確認(rèn)掉電結(jié)束到LDO最多輸入電壓之間的壓差，例如4.7V

去確認(rèn)讀取所有數(shù)據(jù)所需要的時(shí)間，.例如20ms。

參照公式計(jì)算所需電容的容量，CI*T/U20mA*20mS/4.7V85uF。可中,選擇100uF的電容。

MCU否則的話先檢測(cè)到掉電，需要切掉耗電大的控制輸出，諸如再控制繼電器輸出的I/O口是需要立馬斷開。

在正常了工作時(shí)，早就準(zhǔn)備著一塊存儲(chǔ)空間，將其橡皮擦功能擁有0xFF。

怎么檢測(cè)到掉電之后，是可以不不需要擦除FLASH內(nèi)容，可以再讀取數(shù)據(jù)，這個(gè)可以浪費(fèi)大量的時(shí)間。

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