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絕緣柵型場效應(yīng)管 ao3415場效應(yīng)管參數(shù)?

ao3415場效應(yīng)管參數(shù)?ao3415場效應(yīng)管的參數(shù)。VDS(V)-16VID-4.0ARDS(on)lt45mΩ(VGS-4.5V,ID-4.0A)RDS(on)lt54mΩ(VGS-2.5V,ID

ao3415場效應(yīng)管參數(shù)?

ao3415場效應(yīng)管的參數(shù)。VDS(V)-16V

ID-4.0A

RDS(on)lt45mΩ(VGS-4.5V,ID-4.0A)

RDS(on)lt54mΩ(VGS-2.5V,ID-2.5A)

RDS(on)lt75mΩ(V GS-1.8V,ID-2.0A)

按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導(dǎo)電耗盡型與增強型,結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,

4n25場效應(yīng)管參數(shù)?

4N25,N場效應(yīng)管,耐壓250V,電流3.3A, 絕緣柵(MOSFET) 溝道類型: N溝道

MOS與FET有什么區(qū)別?

FET是統(tǒng)稱,也就是場效應(yīng)管,與平衡雙極型晶體管(三極管)并列。

MOS管全稱是MOSFET,也就是金屬絕緣柵型場效應(yīng)管,是場效應(yīng)管的一種。

場效應(yīng)管的ut代表什么電壓?

1、IDSS—飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,柵極電壓UGS0時的漏源電流。

2、UP—夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓。

3、UT—開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓。

4、gM—跨導(dǎo)。是表示柵源電壓UGS—對漏極電流ID的控制能力,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。

5、BUDS—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時,場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數(shù),加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。

6、PDSM—最大耗散功率。也是一項極限參數(shù),是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時,場效應(yīng)管實際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM—最大漏源電流。是一項極限參數(shù),是指場效應(yīng)管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過I。

場效應(yīng)管的型號如何識別?

識別方法如下。

現(xiàn)行場效應(yīng)管有兩種命名方法。

第一種命名方法與雙極型三極管相同,第三位字母J代表結(jié)型場效應(yīng)管,O代表絕緣柵場效應(yīng)管。第二位字母代表 材料,D是P型硅,反型層是N溝道;C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場效應(yīng)三極管,3DO6C 是絕緣柵型N溝道場效應(yīng)三極管。

  第二種命名方法是CS××#,CS代表場效應(yīng)管,××以數(shù)字代表型號的序號,#用字母代表同一型號中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。