74ls192怎么檢驗(yàn)芯片好壞？想辦法在00狀態(tài)下屏蔽減法按鈕相對容易。比如檢查00狀態(tài)是什么樣的二進(jìn)制輸出，在這個(gè)輸出做一個(gè)邏輯電路。電路的輸出禁用減法按鈕。只要輸出狀態(tài)不是00，就可以解除封鎖。c

74ls192怎么檢驗(yàn)芯片好壞？

想辦法在00狀態(tài)下屏蔽減法按鈕相對容易。比如檢查00狀態(tài)是什么樣的二進(jìn)制輸出，在這個(gè)輸出做一個(gè)邏輯電路。電路的輸出禁用減法按鈕。只要輸出狀態(tài)不是00，就可以解除封鎖。

ch340芯片怎么判斷好壞？

第一，如果是壞的，最常見的就是擊穿損壞?？梢杂萌f用表測量芯片電源端對地的電阻或電壓。一般在幾十歐姆以內(nèi)或者電源電壓低于正常值的，大部分可以視為擊穿損壞?？梢詳嚅_電源端子，測量電源是否正常。

如果測得的電阻很大，很可能是其他端口損壞。也可以逐個(gè)測量其他端口?？纯从袥]有對地短路的端口。

第二，儀器專門配有IC檢測，萬用表不具備這種能力。一般用萬用表檢測引腳電壓，做出一個(gè)大概的判斷，不太靠譜。而且是在對這個(gè)IC極其熟悉的情況下判斷的。

誰能詳細(xì)介紹一下芯片的設(shè)計(jì)，制造和封測技術(shù)？

芯片制造的難度在于，很難不斷挑戰(zhàn)物理極限，你永遠(yuǎn)不知道這個(gè)極限在哪里。不同類型的芯片面臨不同的物理限制。讓 讓我們分門別類地看看它們。

3D-NAND芯片

NAND這個(gè)詞對于外行人來說比較陌生，但離我們并不遙遠(yuǎn)。我們買的很多固態(tài)硬盤的核心存儲(chǔ)芯片都是3D-NAND芯片。這個(gè)芯片內(nèi)部就像一棟居民樓，有很多小縫隙，是電荷存儲(chǔ)的物理空間。介于。那為什么叫3D呢？因?yàn)镹ADA s的小房子只能建一層，類似于平面，垂直方向可以疊加3D-NADA，是立體結(jié)構(gòu)。這些小間隔是在半導(dǎo)體制造的幾個(gè)基本模塊中批量制造的，每個(gè)小間隔的成分是經(jīng)過精確設(shè)計(jì)的導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體材料。

國產(chǎn)3D-NADA芯片落后的原因在于堆疊芯片數(shù)量少。目前國產(chǎn)芯片最高能做到64層，但像三星、夢龍等能做到128層以上。堆疊的層數(shù)越多，工藝制造中的困難和問題就越多，并且電路出錯(cuò)的幾率就越高。

3D-NADA芯片的制造難點(diǎn)在于不僅要增加水平方向的圖形密度和存儲(chǔ)密度，還要解決垂直方向高深寬比的刻蝕均勻性問題。

邏輯片

我們?nèi)粘＝佑|的CPU芯片和顯卡芯片都屬于這一類。邏輯芯片面臨的首要問題是，隨著摩爾 定律和它的尺寸縮小。CMOS器件在某些電特性方面已經(jīng)下降，這就需要新的器件設(shè)計(jì)。但是邏輯芯片不應(yīng)該只解決微電子。器件問題，當(dāng)尺寸減小后，工藝難度會(huì)進(jìn)一步增加。

為了縮小尺寸，提高分辨率，光刻工藝中將采用浸沒式光刻，即光源和光刻膠之間的光路介質(zhì)將采用水，這是更高的挑戰(zhàn)。尺寸的減小不僅體現(xiàn)在圖案的尺寸上，而且膜在垂直方向上的高度要求也越來越高。在這個(gè)前提下，發(fā)明了原子層沉積技術(shù)，使薄膜的厚度可以精確控制到只有幾層原子。

過程越先進(jìn)，過程缺陷和失敗的可能性就越大。用技術(shù)術(shù)語來說，工藝窗口越小，工藝參數(shù)的浮動(dòng)范圍就越小。關(guān)鍵一步，工藝指標(biāo)一旦跑出極限，芯片制造失敗的概率和風(fēng)險(xiǎn)都會(huì)大大增加。