STM32的SWD和串口ISP如何轉(zhuǎn)?ST？RamIsp指的是先下載一段代碼到SRAM中，然后用我自定義的協(xié)議進(jìn)行真正的FLASH燒錄。它可以擺脫STM32 自己的串口ISP，比如STM32 自己

STM32的SWD和串口ISP如何轉(zhuǎn)?ST？

RamIsp指的是先下載一段代碼到SRAM中，然后用我自定義的協(xié)議進(jìn)行真正的FLASH燒錄。它可以擺脫STM32 自己的串口ISP，比如STM32 自己的串口ISP波特率115200bps以上等等。下載速度大大提高。配合更好的USB串口，460800bps可以穩(wěn)定工作。而EP868是離線(xiàn)下載的，用RamIsp可以達(dá)到921600bps的穩(wěn)定下載。連續(xù)燒錄，該功能可以自動(dòng)監(jiān)控某個(gè)芯片是否通過(guò)串口連接。如果檢測(cè)到芯片，它會(huì)自動(dòng)開(kāi)始燃燒。刻錄后，可以使用語(yǔ)音提示，只需更換芯片或PCB，無(wú)需按 "開(kāi)始編輯 "用鼠標(biāo)按鍵(注意:未注冊(cè)的版本只能連續(xù)刻錄10片，所以可以關(guān)閉mcuisp再打開(kāi)，可以連續(xù)刻錄，呵呵)。當(dāng)工程師需要自己燒幾百塊平板的時(shí)候，可以節(jié)省一些能源。持續(xù)燃燒取決于RamIsp，所以檢查 "持續(xù)燃燒 "將自動(dòng)檢查 "RamIsp"; OptionByt

mbr膜清洗與維保方案？

第一部分

MBR膜組件的清洗方法主要有兩種:在線(xiàn)維護(hù)清洗和離線(xiàn)化學(xué)清洗。

在線(xiàn)維護(hù)清洗

定期維護(hù)清洗去除膜表面的污染物，抑制污染層的增厚和跨膜壓差的增加，從而達(dá)到穩(wěn)定運(yùn)行的目的。維護(hù)清潔期間，停止通風(fēng)。

維護(hù)清潔的頻率通常是一周一次。有效氯濃度為200 mg/L ~ 500 mg/L的NaClO從產(chǎn)水側(cè)定量注入膜組件，注入時(shí)間為5 ~ 10min。注射后，靜置浸泡30分鐘。單位膜面積的用量為2 ~ 2.5L/m2，總用量需計(jì)算輸送管道的容量。

維護(hù)化學(xué)清洗過(guò)程:

離線(xiàn)化學(xué)清洗

當(dāng)日常在線(xiàn)維護(hù)清洗或抽吸壓力超過(guò)設(shè)定值(即跨膜壓差)，且目前的兩種清洗方法都不能恢復(fù)膜性能時(shí)，應(yīng)進(jìn)行離線(xiàn)清洗，將膜組件吊出，浸入專(zhuān)用清洗池中去除污染物，使膜性能恢復(fù)到接近初始值的狀態(tài)。一般來(lái)說(shuō)，浸泡清洗可以顯著恢復(fù)膜的性能。離線(xiàn)清洗時(shí)，將整個(gè)膜組件或單膜浸泡在堿性清洗劑(有效氯濃度為2000-3000mg/L，pH為10~11-11的NaClO溶液)或酸性清洗劑(1-2%草酸或檸檬酸，0.1-0.5%硫酸或鹽酸)中。浸泡時(shí)間為6 ~ 24 h

第二部分

膜通量的影響因素

污泥濃度對(duì)膜通量的影響

污泥濃度(MLSS)是影響膜通量的重要因素之一。一個(gè)。高M(jìn)LSS可以保證有機(jī)負(fù)荷高峰期的出水水質(zhì)，低峰期污泥可以自我消化(內(nèi)源呼吸)。污泥濃度的增加會(huì)導(dǎo)致污泥粘度的增加和污泥通量的降低，阻礙氧氣的轉(zhuǎn)化，從而影響污泥的流動(dòng)性和分離性能。

膜表面速度對(duì)膜通量的影響

膜表面速度對(duì)于膜通量來(lái)說(shuō)，提高膜表面速度可以減少濃差極化引起的凝膠層厚度，從而降低膜過(guò)濾阻力，延緩和防止膜堵塞，維持穩(wěn)定的膜通量。在運(yùn)行中，要綜合考慮能耗等各方面因素，進(jìn)行優(yōu)化。

膜堵塞的原因

主要有以下幾點(diǎn):

(1)膜內(nèi)表面的MLSS增加，微生物的內(nèi)源呼吸作用增強(qiáng)。由于污泥缺氧和厭氧呼吸，膜表面堆積了一層黑色物質(zhì)，多為死細(xì)菌及其殘?jiān)?。而且微生物?nèi)源呼吸產(chǎn)生的20%的殘留物質(zhì)難以降解；

(2)胞外聚合物(EPS)逐漸增多，對(duì)膜表面造成污染。胞外多糖是由微生物中的多糖、蛋白質(zhì)、糖蛋白、脂蛋白等大分子組成。它們形成粘性基質(zhì)，將細(xì)胞粘附到膜表面，并將生物膜保持在一起。EPS的增加導(dǎo)致膜表面形成凝膠層，降低了通量；

(3)堵塞膜表面的主要物質(zhì)是微生物正常代謝產(chǎn)生的粘性多肽分子和蛋白質(zhì)分子，含有活性基團(tuán)的大分子物質(zhì)可能與Ca2、Mg2、Fe3等金屬離子相互作用，在膜表面形成凝膠層。

第三部分

膜清洗的注意事項(xiàng)

1.在線(xiàn)清洗時(shí)，當(dāng)藥液鋪展到膜組件的整個(gè)表面時(shí)，保證藥液與膜表面附著物的接觸時(shí)間足夠也是很重要的。此外，在注射液體藥物期間和靜置過(guò)程中，必須停止通氣。如果繼續(xù)曝氣，藥液會(huì)擴(kuò)散稀釋到整個(gè)池內(nèi)，導(dǎo)致膜表面清洗效果低下。

2.離線(xiàn)清洗時(shí)，不要用高壓水槍清除附著在膜表面的污泥，這樣可能會(huì)對(duì)膜造成損傷。

3.無(wú)論是在線(xiàn)還是離線(xiàn)，當(dāng)酸洗和次氯酸鈉清洗同時(shí)進(jìn)行時(shí)，在酸洗和次氯酸鈉清洗之間應(yīng)對(duì)膜簾和輔助設(shè)備進(jìn)行充分清洗。當(dāng)酸與次氯酸鈉混合時(shí)，有產(chǎn)生有毒氣體的危險(xiǎn)，所以要小心。

4.清洗MBR膜時(shí)注意勞動(dòng)保護(hù)。

原位/異位回收化學(xué)清洗工藝:

第四部分

MBR清洗步驟

MBR膜的離線(xiàn)清洗

MBR膜離線(xiàn)清洗時(shí)，將膜組件吊出膜池后，用清水洗去膜絲間的雜質(zhì)，然后浸泡在次氯酸鈉和氫氧化鈉清洗液中12小時(shí)，再取出清洗，浸泡在檸檬酸清洗液中12小時(shí)。具體步驟如下:

(1)取出膜組件后，用清水沖洗膜絲間的雜物。如果清水沖洗不徹底，需要手動(dòng)清除。將清洗后的膜組件浸泡在含有次氯酸鈉和氫氧化鈉的清洗液中，注意清洗。膜組件應(yīng)該被池中的液位完全淹沒(méi)。浸泡過(guò)程中，間歇開(kāi)啟曝氣，目的是攪拌清洗液，將清洗下來(lái)的污染物與膜絲分離。

(2)浸泡12小時(shí)以上后，取出膜組件，用清水沖洗，放入清水膜池中接曝氣管曝氣，不要接吸水管。

(3)將膜組件從清水池中取出，放入檸檬酸膜池中，重復(fù)前兩步。

(4)用檸檬酸清洗液清洗后，用清水沖洗，將膜組件放入池中，連接曝氣管和吸水管。完成離線(xiàn)清洗。

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