p型半導(dǎo)體氣敏傳感器原理？根據(jù)半導(dǎo)體不斷變化的物理特性，可以分為電阻型和非電阻型。電阻式半導(dǎo)體氣體傳感器利用敏感材料接觸氣體時(shí)其電阻的變化來(lái)檢測(cè)氣體的成分或濃度。非阻性半導(dǎo)體氣體傳感器利用二極管的伏安

p型半導(dǎo)體氣敏傳感器原理？

根據(jù)半導(dǎo)體不斷變化的物理特性，可以分為電阻型和非電阻型。

電阻式半導(dǎo)體氣體傳感器利用敏感材料接觸氣體時(shí)其電阻的變化來(lái)檢測(cè)氣體的成分或濃度。非阻性半導(dǎo)體氣體傳感器利用二極管的伏安特性、場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓變化等其他參數(shù)來(lái)檢測(cè)待測(cè)氣體。表5-1顯示了半導(dǎo)體氣體。根據(jù)傳感器的分類，SnO2(氧化錫)是目前應(yīng)用最廣泛的氣體傳感器。

epi芯片工藝流程？

芯片制造的全過(guò)程包括芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝制造和成本測(cè)試，其中晶圓制造過(guò)程尤為復(fù)雜。首先是芯片設(shè)計(jì)，它產(chǎn)生 "模式與技巧根據(jù)設(shè)計(jì)要求。

1.晶片的成分，芯片的原料是硅，硅是從石英砂中提煉出來(lái)的，晶片經(jīng)過(guò)提純(99.999%)。然后將這些純硅制成硅棒，成為應(yīng)時(shí)半導(dǎo)體制造集成電路的材料，切片是芯片制造的特定需要。威化。晶圓越薄，生產(chǎn)成本越低，但對(duì)工藝的要求越高。

2.晶圓涂層晶圓涂層可以抗氧化和耐高溫，它的材料是一種光刻膠。

3.晶圓光刻顯影和蝕刻這種工藝使用對(duì)紫外線敏感的化學(xué)物質(zhì)，當(dāng)暴露在紫外線下時(shí)會(huì)變軟。通過(guò)控制遮光板的位置可以獲得芯片的形狀。一種光致抗蝕劑涂在硅片上，這樣當(dāng)暴露在紫外光下時(shí)它會(huì)溶解。這時(shí)，第一道陰影可以用來(lái)制造紫外線直接部分被溶解，然后該溶解部分可以用溶劑洗去。這樣剩下的就是和樹蔭一樣的形狀了，這種效果正是我們想要的。這樣就可以得到我們需要的二氧化硅層。

4.摻雜雜質(zhì)并將離子注入晶片以產(chǎn)生相應(yīng)的P和N半導(dǎo)體。具體工藝是從硅片上的曝光區(qū)域開始，放入化學(xué)離子混合溶液中。這個(gè)過(guò)程會(huì)改變摻雜區(qū)的導(dǎo)電模式，使得每個(gè)晶體管都可以導(dǎo)通、關(guān)斷或攜帶數(shù)據(jù)。只能用簡(jiǎn)單的芯片一層，但是復(fù)雜的芯片通常有很多層。此時(shí)這個(gè)過(guò)程不斷重復(fù)，不同的層可以通過(guò)開窗連接起來(lái)。這類似于多層PCB板的制造原理。更復(fù)雜的芯片可能需要多個(gè)二氧化硅層，這可以通過(guò)重復(fù)光刻和上述過(guò)程來(lái)實(shí)現(xiàn)。，形成立體結(jié)構(gòu)。

5.晶片測(cè)試在上述過(guò)程之后，在晶片上形成晶格顆粒。每個(gè)晶粒的電特性通過(guò)針測(cè)試來(lái)檢測(cè)。一般每個(gè)芯片的晶粒數(shù)是巨大的，組織一個(gè)針測(cè)模式是一個(gè)非常復(fù)雜的過(guò)程，需要制作。盡量量產(chǎn)相同芯片規(guī)格的機(jī)型。數(shù)量越大，相對(duì)成本越低，這也是主流芯片器件成本低的一個(gè)因素。

6.封裝:將制作好的晶圓固定，綁定引腳，根據(jù)需要做成各種封裝形式，這就是為什么同一個(gè)芯片內(nèi)核可以有不同的封裝形式。例如:迪普、QFP、PLCC、QFN等等。這里主要由用戶決定 的應(yīng)用習(xí)慣、應(yīng)用環(huán)境、市場(chǎng)形態(tài)等外圍因素。

7.經(jīng)過(guò)以上工藝流程的測(cè)試和封裝，芯片生產(chǎn)已經(jīng)完成。這一步就是測(cè)試芯片，剔除不良品，封裝。