12n60和12n60c區(qū)別？12n60與12n60c雖說是可以通用。但它們依舊有區(qū)別的12N60是功率場(chǎng)效應(yīng)管，參數(shù)是：硅、500V、2A、55W、RDS(at)≤5.1Ω、帶阻尼；12N60C也功

12n60和12n60c區(qū)別？

12n60與12n60c雖說是可以通用。但它們依舊有區(qū)別的

12N60是功率場(chǎng)效應(yīng)管，參數(shù)是：硅、500V、2A、55W、RDS(at)≤5.1Ω、帶阻尼；

12N60C也功率場(chǎng)效應(yīng)管，參數(shù)：硅、600V、12A、51W、RDS(off)0.65Ω、帶阻尼。12N60C是也可以代換2N60的。

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場(chǎng)效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管要好的特性。即是在大功率范圍應(yīng)用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它也稱做功率MOSFET

場(chǎng)效應(yīng)管z44n參數(shù)？

Z44N是一個(gè)N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管，詳細(xì)參數(shù)不勝感激：55伏，49安，94瓦。need-220AB裸芯片，管腳向外，遇到有字的一面，從左到右順次排列為：G柵極，D,S。

三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件·其作用是把細(xì)號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也使用較多無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)控制。晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流變小作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上怎么制作兩個(gè)距離很近的PN結(jié)，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射地區(qū)和集電區(qū)，排列有PNP和NPN兩種。

場(chǎng)效應(yīng)管和mos管的區(qū)別？

一、主體完全不同

1、場(chǎng)效應(yīng)：V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。是繼MOSFET之后新發(fā)展下來的高效安全、功率開關(guān)器件。

2、MOS管：金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管不屬于絕緣柵型。

二、特性差別

1、場(chǎng)效應(yīng)：不僅僅能繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具備耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)越的自然條件特性。

2、MOS管：主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具備很高的輸入輸入電阻（極高可達(dá)1015Ω）。

三、原理規(guī)則完全不同

1、場(chǎng)效應(yīng)：將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，并且在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可到達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正完成廣泛應(yīng)用。

2、MOS管：當(dāng)VGS0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，另外正確的的VGS后，多數(shù)載流子被讓到柵極，從而“提高”了該區(qū)域的載流子，自然形成導(dǎo)電溝道。

mos管像是是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，的或稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。G：gate柵極；S：source源極；D：drain漏極。MOS管的source（源極）和drain（耗干層）是可以不連起來的，他們?nèi)窃赑型backgate中自然形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是差不多的，就算平行放置向左移也絕對(duì)不會(huì)引響器件的性能。這樣的器件被懷疑是中心對(duì)稱的。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）西安北方光電有限公司場(chǎng)效應(yīng)管。要注意有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxidesemiconductorFET，國(guó)家建筑材料工業(yè)局MOS-FET）。由多數(shù)載流子參加導(dǎo)電，也稱為普通晶閘管型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有再輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于整合、沒有二次刺透現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，辦準(zhǔn)生證需要什么證件藍(lán)月帝國(guó)雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大無(wú)比競(jìng)爭(zhēng)者。