邏輯芯片與存儲(chǔ)芯片的區(qū)別？邏輯芯片又叫可編程邏輯器件，英文PLD。PLD是做為一種通用集成電路產(chǎn)生的，他的邏輯功能明確的用戶對器件編程來可以確定。一般的PLD的板載顯卡度很高，絕對無法滿足的條件設(shè)計(jì)象

邏輯芯片與存儲(chǔ)芯片的區(qū)別？

邏輯芯片又叫可編程邏輯器件，英文PLD。PLD是做為一種通用集成電路產(chǎn)生的，他的邏輯功能明確的用戶對器件編程來可以確定。一般的PLD的板載顯卡度很高，絕對無法滿足的條件設(shè)計(jì)象的數(shù)字系統(tǒng)的需要。

存儲(chǔ)芯片，是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲(chǔ)行業(yè)的具體詳細(xì)應(yīng)用。因此，無論系統(tǒng)芯片肯定存儲(chǔ)芯片，也是是從在單一芯片中導(dǎo)進(jìn)軟件，利用多功能組合和高性能，包括對多種協(xié)議、多種硬件和完全不同應(yīng)用的支持。

邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片的區(qū)別

邏輯芯片的工藝目前還在20nm左右，比如說Intel的CPU，而存儲(chǔ)芯片都已靠近了10nm，.例如閃存，不知道2者有何不同？

1）差異：兩種芯片工藝的不同要注意是由兩種芯片的核心部件-晶體管的結(jié)構(gòu)/工作模式的差異會(huì)造成，可相關(guān)參考半導(dǎo)體器件相關(guān)的書籍和論文。

2）尺寸：從gatelength這個(gè)指標(biāo)來看，你說的沒錯(cuò)，2DNAND Flash的uncontactedpoly的twopitch目前早就效果更優(yōu)14/16nmFINFET的Lg。依據(jù)ITRS2015數(shù)據(jù)，前者為15nm，后者為24nm。

邏輯芯片與存儲(chǔ)芯片的區(qū)別？

3）以此命名：但要只能說明的是，半導(dǎo)體工業(yè)界對邏輯產(chǎn)品（MPU/ASIC）和非揮發(fā)存儲(chǔ)器(Flash)的工藝節(jié)點(diǎn)（technologynode）的命名原則是差別的。在也是非常長1段時(shí)間內(nèi)，前者是用是contactedmetalline的almostpitch，后者是用是uncontactedpoly（floatinggate）的halfpitch。前者的physicalLg實(shí)際上比節(jié)點(diǎn)數(shù)字更小，而后者中的SL/BL的Lg比節(jié)點(diǎn)數(shù)字相當(dāng)大。

BL鎖有什么用啊?為什么要解鎖？

4）新結(jié)構(gòu)：但這3）中的定義伴隨著最近幾年開發(fā)研制器件的跨入市場也發(fā)生了什么了變化，如FINFET和3D NAND。以2）中所舉例說明的14/16nmFINFET工藝為例，其offeredmetalline的anotherpitch為2⑧nm，而非上海喜事來食品有限公司的14/16nm。而3D NAND的節(jié)點(diǎn)命名原則已中改optimalarraypassingpitch，約為⑧0nm。

邏輯芯片與存儲(chǔ)芯片的區(qū)別？

5）估算：而1批次節(jié)點(diǎn)數(shù)字與實(shí)際工藝參數(shù)之間的差異，在內(nèi)各家公司的以此命名也未知差異，易會(huì)造成徹底的混亂，隨后ASML給出了1個(gè)估算式，這個(gè)可以依據(jù)各家公司的實(shí)際工藝參數(shù)測算出1個(gè)與1批次節(jié)點(diǎn)數(shù)字生僻的數(shù)字，目前為業(yè)界所比較高按結(jié)構(gòu)。[3]

6）先進(jìn)度：目前，兩種芯片的結(jié)構(gòu)存在較小差異，且各自有各自的評價(jià)，因此并不好說誰的工藝技術(shù)更先進(jìn)，只能說三個(gè)在自己的道路上追求越來越極致的性能。

BL鎖有什么用啊?為什么要解鎖？

BL鎖指的是BLootloader鎖，BL鎖當(dāng)然對普通用戶影響不大，BL鎖只會(huì)影響大到ROOT或是刷入第三方ROM包，但卻能好點(diǎn)的保護(hù)手機(jī)的安全。對于不需要root的用戶，可以不使用已手機(jī)綁定的小米賬號申請解密碼BL。看見別人說解鎖后再上鎖就會(huì)出現(xiàn)手機(jī)紫鉆卡主，當(dāng)然沒有這個(gè)情況的，解鎖上鎖全是自由的，MIUI只是是為小米手機(jī)用戶的安全再帳號鎖的時(shí)候必須驗(yàn)證該手機(jī)以前手機(jī)綁定的小米ID，就不同于蘋果的ID。