簡(jiǎn)介DSP28335芯片內(nèi)置了34K的16位SARAM，但在某些情況下，內(nèi)存資源可能無(wú)法滿足程序運(yùn)行需求，因此需要外擴(kuò)RAM。外擴(kuò)的RAM可以映射到不同存儲(chǔ)區(qū)域，如Zone0、Zone6和Zone7

簡(jiǎn)介

DSP28335芯片內(nèi)置了34K的16位SARAM，但在某些情況下，內(nèi)存資源可能無(wú)法滿足程序運(yùn)行需求，因此需要外擴(kuò)RAM。外擴(kuò)的RAM可以映射到不同存儲(chǔ)區(qū)域，如Zone0、Zone6和Zone7。本文將重點(diǎn)介紹如何將SRAM映射到Zone7，并通過(guò)CCS進(jìn)行調(diào)試查看。

映射至XINTF存儲(chǔ)區(qū)域

在對(duì)DSP28335進(jìn)行外擴(kuò)RAM時(shí)，需要將RAM映射到XINTF相關(guān)的存儲(chǔ)區(qū)域中，以便讓片外存儲(chǔ)器能夠被DSP直接訪問(wèn)。XINTF的映射存儲(chǔ)區(qū)域如圖所示，需要根據(jù)具體情況進(jìn)行配置。

外部RAM選型與接口

選擇適合的外部RAM對(duì)系統(tǒng)性能至關(guān)重要。本文選用IS61LV2516，這是一種256K的SRAM，擁有16位數(shù)據(jù)總線。根據(jù)datasheet提供的外接信號(hào)及真值表，可以準(zhǔn)確連接外部RAM。

外擴(kuò)RAM原理圖

根據(jù)前述內(nèi)容，我們可以繪制出DSP28335外接RAM的原理圖，清晰地展示了RAM與處理器之間的連接關(guān)系，有助于后續(xù)的調(diào)試與驗(yàn)證工作。

CCS編譯器設(shè)置

使用CCS6.0編譯器進(jìn)行代碼編寫時(shí)，需要進(jìn)行相應(yīng)的設(shè)置，特別是針對(duì)外擴(kuò)RAM的情況。在本例中，外擴(kuò)RAM接在Zone7上，因此地址編號(hào)從0x200000開始，確保設(shè)置正確以確保程序正常運(yùn)行。

初始化配置與調(diào)試

在初始化階段，需要通過(guò)InitSysCtrl函數(shù)對(duì)XINTF時(shí)鐘進(jìn)行配置，然后在InitXintf函數(shù)中設(shè)置相關(guān)寄存器，并將對(duì)應(yīng)IO設(shè)置為XINTF外設(shè)使用。完成后，將程序下載到控制板，在CCS中通過(guò)“View—gt;Memory”進(jìn)行在線調(diào)試查看，可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)片外RAM中的數(shù)據(jù)變化，幫助調(diào)試和優(yōu)化程序。

通過(guò)以上步驟，我們可以成功外擴(kuò)RAM并進(jìn)行調(diào)試，確保程序在DSP28335上正常運(yùn)行。對(duì)于需要更大內(nèi)存空間的應(yīng)用，外擴(kuò)RAM是一種有效的解決方案，同時(shí)也展示了對(duì)DSP芯片靈活性和擴(kuò)展性的充分利用。